公开(公告)号：CN102013424A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010194492.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郑光茗 ,  钟昇镇 ,  叶炅翰 ,  张立伟 ,  许育瑛 ,  杨宝如

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/20 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2223/6672

Abstract: 本发明提供一种集成电路及其制法。此集成电路包括半导体基材与无源多晶硅元件设置于半导体基材之上。无源多晶硅元件还包括多晶硅特征结构，与多个电极埋设于多晶硅结构特征中。由于重掺杂多晶硅电极及/或硅化物形成于电极的上部分，因此，接触电阻大体上降低，且形成一欧姆接触。因为不需要额外的工艺步骤，因此不会增加额外的工艺成本。

公开(公告)号：CN102013424B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201010194492.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郑光茗 ,  钟昇镇 ,  叶炅翰 ,  张立伟 ,  许育瑛 ,  杨宝如

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/20 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2223/6672

Abstract: 本发明提供一种集成电路及其制法。此集成电路包括半导体基材与无源多晶硅元件设置于半导体基材之上。无源多晶硅元件还包括多晶硅特征结构，与多个电极埋设于多晶硅结构特征中。由于重掺杂多晶硅电极及/或硅化物形成于电极的上部分，因此，接触电阻大体上降低，且形成一欧姆接触。因为不需要额外的工艺步骤，因此不会增加额外的工艺成本。