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公开(公告)号：CN110060935B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201810937666.8
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。
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公开(公告)号：CN110660725B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910023923.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
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公开(公告)号：CN112151396A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010080526.0
申请日：2020-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/36
Abstract: 提供封装结构及封装结构的形成方法。此方法包含在重布线结构上方放置半导体晶粒，并在重布线结构上方放置导电部件。导电部件具有支撑元件和焊料元件。焊料元件沿支撑元件的表面延伸。此方法也包含在重布线结构上方堆叠中介层基板。中介层基板延伸跨过半导体晶粒。此方法更包含形成保护层以围绕导电部件和半导体晶粒。
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公开(公告)号：CN110957281A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910305554.5
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
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公开(公告)号：CN110660725A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910023923.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553720A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410623468.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装体，包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括排置于绝缘基体的第一表面上且对应于半导体芯片的多个岛型层。一部分的封胶层夹设于至少两个岛型层之间。或者，中介层结构包括一钝化护层，覆盖绝缘基体的第二表面，且具有沿着绝缘基体的周围边缘延伸的一凹槽。
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公开(公告)号：CN115513189A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210041865.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板。金属底板的位置对应于凹穴的位置。金属底板是电性浮置的并被介电材料隔离。半导体管芯设置在凹穴中，且与电路衬底电连接。填充材料设置在半导体管芯和电路衬底之间。填充材料填充凹穴且封装半导体管芯，而连接半导体管芯和电路衬底。
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公开(公告)号：CN111755344A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010084354.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/18
Abstract: 本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
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公开(公告)号：CN109727946A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810306349.6
申请日：2018-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 提供形成芯片封装体的方法。方法包括将芯片置于再布线结构上。再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片。方法亦包括经由导电结构将中介基板接合至再布线结构。芯片位于中介基板与再布线结构之间。中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷。芯片的第一部分位于凹陷中。中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。
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公开(公告)号：CN110957281B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910305554.5
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
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