公开(公告)号：CN109326561B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201711292065.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪同萱 ,  沈冠傑 ,  许秉诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。

公开(公告)号：CN111261592A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911204482.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。

公开(公告)号：CN113539961A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110089181.X

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本揭露叙述一种半导体结构的形成方法。半导体结构可包含一个基材、一个位于基材上的鳍状结构、一个位于鳍状结构的第一部位上的栅极结构以及一个形成于鳍状结构的第二部位中的磊晶区域。磊晶区域可包含一个第一半导体层以及形成于第一半导体层上的一个n型第二半导体层。第一半导体层的晶格常数可大于第二半导体层的晶格常数。

公开(公告)号：CN111261592B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201911204482.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。

公开(公告)号：CN114792659A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210253624.9

申请日：2022-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张筱君 ,  沈冠傑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本揭露为一种具有埋入式栅极结构的半导体元件及其形成方法。半导体元件包含基材与位于基材上的鳍结构。鳍结构包含顶部位以及底部位。半导体元件进一步包含位于鳍结构的底部位上的栅极结构。位于鳍结构的顶部位中的多个半导体层被设置在栅极结构上。半导体元件进一步包含位于栅极结构上方的源极/漏极结构并且其与多个半导体层连接。

公开(公告)号：CN113394243A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110114644.3

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈皇魁 ,  沈冠傑

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本揭露描述一种半导体结构。半导体结构可包括：基材；栅极结构，栅极结构在基材上方；源极/漏极(S/D)接触结构，源极/漏极接触结构毗邻栅极结构；介电材料层，介电材料层在源极/漏极接触结构上方；导电层，导电层在介电材料层上方且与介电材料层接触且在源极/漏极接触结构上方；及互连结构，互连结构在导电层上方且与导电层接触。

公开(公告)号：CN109326561A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711292065.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪同萱 ,  沈冠傑 ,  许秉诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。