公开(公告)号：CN109326561A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711292065.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪同萱 ,  沈冠傑 ,  许秉诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。

公开(公告)号：CN109326561B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201711292065.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪同萱 ,  沈冠傑 ,  许秉诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。