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公开(公告)号：CN115663006A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211439745.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN108962922A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710646919.1
申请日：2017-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。
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公开(公告)号：CN106981474A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610729455.6
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L21/76838 , H01L21/76898
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。
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公开(公告)号：CN108242412A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109326617B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201711116403.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。
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公开(公告)号：CN109326617A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711116403.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。
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公开(公告)号：CN107039445A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610823361.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11524 , H01L23/62
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/11517 , H01L23/62 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的实施例提供了一种存储单元，包括选择器、与选择器串联连接的熔丝、形成在选择器和熔丝上的接触蚀刻停止层、连接至熔丝的位线以及连接至选择器的字线。接触蚀刻停止层包括用于提高捕获电子的能力的高k电介质，因此增加了存储单元的保持时间。本发明的实施例还提供了存储单元的制造方法。
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公开(公告)号：CN107123658A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710072602.1
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN108242412B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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