公开(公告)号：CN113327905B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

公开(公告)号：CN115663006A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211439745.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

公开(公告)号：CN112397535A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN108962922A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710646919.1

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  林群智 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  张文山 ,  林艺民 ,  张朝钦 ,  陈志轩 ,  李锦思 ,  蔡育廷

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。

公开(公告)号：CN106981474A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610729455.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  吴正一 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  林艺民 ,  李锦思 ,  张文山 ,  陈宜辉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76898

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。

公开(公告)号：CN112397535B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN107123658A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710072602.1

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

公开(公告)号：CN113809105A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110234486.5

申请日：2021-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄琮伟 ,  张朝钦 ,  郑允玮 ,  郑智龙 ,  陈言彰 ,  蔡文仁 ,  林政翰 ,  池昱勳 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。

公开(公告)号：CN113327905A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

公开(公告)号：CN109326617B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。