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公开(公告)号：CN113838807A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110368562.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明说明形成具有电源轨的堆叠半导体装置的方法和集成电路的形成方法。方法包括形成堆叠半导体装置于基板的第一表面上。堆叠半导体装置包括第一鳍状结构；隔离结构，位于第一鳍状结构上；以及第二鳍状结构，位于第一鳍状结构上并接触隔离结构。第一鳍状结构包含第一源极/漏极区，而第二鳍状结构包含第二源极/漏极区。方法亦包括蚀刻基板的第二表面与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区的一部分以形成开口。第二表面与第一表面对向。方法亦包括形成介电阻障层于开口中，以及形成源极/漏极接点于开口中。
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公开(公告)号：CN113658914A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110732760.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本公开所提供的具有负电容层的场效应晶体管的制造方法包含形成一鳍片结构，该鳍片结构包含在一基板上的一鳍片基底部分以及一堆叠的鳍片部分。堆叠的鳍片部分包含在鳍片基底部分上的一第一半导体层、在第一半导体层上的一第二半导体层、以及在第一以及第二半导体层之间的一牺牲半导体层。该方法进一步包含以一负电容(negative capacitance；NC)层取代牺牲半导体层。在负电容层、第一半导体层、以及第二半导体层周围形成栅极电极。负电容层包含一负电容介电材料。
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公开(公告)号：CN110931359A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910892072.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括在基板上方形成虚设栅极。一对栅极间隔件在虚设栅极的相对侧壁上形成。移除虚设栅极以在栅极间隔件之间形成沟槽。将第一离子束导引至沟槽的上部，而使沟槽的下部实质上无第一离子束入射。在将第一离子束导引至沟槽期间，基板相对于第一离子束移动。栅极结构在沟槽中形成。
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公开(公告)号：CN107026070A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610668424.4
申请日：2016-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明揭露一种半导体装置的制作方法。提供一两步骤缺陷减少烘烤的方法和结构，其接着是高温磊晶层成长。在各种实施例中，将半导体晶圆载入至处理腔室内。当半导体晶圆载入在处理腔室中时，在第一压力和第一温度下进行第一预磊晶层(Pre‑epitaxial Layer)沉积烘烤制程。在一些实例中，在第一预磊晶层沉积烘烤制程后，在第二压力和第二温度下进行第二预磊晶层沉积烘烤制程。在一些实施例中，第二压力和第一压力不同。例如：在第二预磊晶层沉积烘烤制程后，且当在成长温度时，将前驱物气体导入处理腔室，以沉积磊晶层在半导体晶圆上。
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公开(公告)号：CN113126447B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202011606332.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开实施例提供一种极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法。产生极紫外辐射的方法包括在极紫外辐射源设备中用激光同时照射两个或多个目标微滴以生成极紫外辐射，并通过成像镜收集并且引导从两个或多个目标微滴生成的极紫外辐射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115394626A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210842269.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例有关于包含工艺腔的离子束蚀刻系统。工艺腔包含被配置以提供等离子体的等离子体室。此外，工艺腔包含加速器栅，上述加速器栅具有包含第一加速器栅元件及第二加速器栅元件的多个加速器栅元件。第一导线耦接至第一加速器栅元件，被配置以将第一电压供应至第一加速器栅元件。第二导线耦接至第二加速器栅元件，被配置以将不同于第一电压的第二电压供应至第二加速器栅元件。通过第一洞的第一离子束由第一加速器栅元件控制，通过第二洞的第二离子束由第二加速器栅元件控制。
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公开(公告)号：CN115207081A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210529991.7
申请日：2022-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchannel；NHC)区堆叠、设置在NHC区堆叠内的纳米结构垂直通道(nanostructured vertical channel；NVC)区、设置在鳍式结构上的源极/漏极(source/drain；S/D)区，以及设置在NHC区和NVC区未被NHC区覆盖的多个部分和鳍式结构上的栅极结构。
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公开(公告)号：CN114975061A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210329815.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本公开关于一种离子束蚀刻系统，包括配置以提供等离子体的等离子体腔室、屏栅、萃取格栅、加速器格栅和减速器格栅。屏栅接收屏栅电压以从等离子体腔室内的等离子体中萃取离子以形成穿过孔洞的离子束。萃取格栅接收萃取格栅电压，其中屏栅电压与萃取格栅电压之间的电压差决定离子束的离子电流密度。加速器格栅接收加速器格栅电压。萃取格栅电压和加速器格栅电压之间的电压差决定离子束的离子束能量。离子束蚀刻系统可更包括偏转器系统，偏转器系统具有位于孔洞周围的第一偏转器板和第二偏转器板，以控制离子束的方向。
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公开(公告)号：CN114883214A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210128406.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于蚀刻工艺的实时补偿控制的设备、系统及方法，所述设备包含光束调节组合件以及机器学习装置。光束调节组合件配置成向所处理的衬底输出一或多个波长且从衬底接收一或多个反射波长。机器学习装置配置成处理一或多个反射波长以预测工艺变量且将所预测的工艺变量与所测量的工艺变量进行比较以获得比较结果。
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公开(公告)号：CN114121587A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110788799.5
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本公开提出一种等离子体蚀刻系统。等离子体蚀刻系统用于金属氧化物的自由基活化蚀刻。等离子体蚀刻系统包括腔室；配置以保持其上设置有一金属氧化物的芯片的芯片保持器；流体地连接至腔室，且配置以将气体供应至腔室的第一气体管线；配置以从气体产生等离子体的等离子体产生器；在等离子体产生器及芯片保持器之间，配置以增加来自等离子体的离子的动能的栅系统；在栅系统及芯片保持器之间，配置以产生电子且中和离子以产生自由基的中和器；以及流体地连接至腔室，且配置以将一前驱物供应到芯片上的第二气体管线。自由基促进通过前驱物的金属氧化物的蚀刻。
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