公开(公告)号：CN107026070B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201610668424.4

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 上野哲嗣 ,  游明华 ,  杨建伦

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明揭露一种半导体装置的制作方法。提供一两步骤缺陷减少烘烤的方法和结构，其接着是高温磊晶层成长。在各种实施例中，将半导体晶圆载入至处理腔室内。当半导体晶圆载入在处理腔室中时，在第一压力和第一温度下进行第一预磊晶层(Pre‑epitaxial Layer)沉积烘烤制程。在一些实例中，在第一预磊晶层沉积烘烤制程后，在第二压力和第二温度下进行第二预磊晶层沉积烘烤制程。在一些实施例中，第二压力和第一压力不同。例如：在第二预磊晶层沉积烘烤制程后，且当在成长温度时，将前驱物气体导入处理腔室，以沉积磊晶层在半导体晶圆上。

公开(公告)号：CN107026070A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610668424.4

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 上野哲嗣 ,  游明华 ,  杨建伦

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明揭露一种半导体装置的制作方法。提供一两步骤缺陷减少烘烤的方法和结构，其接着是高温磊晶层成长。在各种实施例中，将半导体晶圆载入至处理腔室内。当半导体晶圆载入在处理腔室中时，在第一压力和第一温度下进行第一预磊晶层(Pre‑epitaxial Layer)沉积烘烤制程。在一些实例中，在第一预磊晶层沉积烘烤制程后，在第二压力和第二温度下进行第二预磊晶层沉积烘烤制程。在一些实施例中，第二压力和第一压力不同。例如：在第二预磊晶层沉积烘烤制程后，且当在成长温度时，将前驱物气体导入处理腔室，以沉积磊晶层在半导体晶圆上。

公开(公告)号：CN113594091A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110733519.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  陈婷婷 ,  梁顺鑫 ,  上野哲嗣 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开描述一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：于基板上形成鳍片结构；于鳍片结构的第一部分上形成多晶硅栅极结构；于鳍片结构的第二部分中形成开口，其中鳍片结构的第一部分与第二部分彼此相邻；于多晶硅栅极结构下方的鳍片结构的第一部分的侧壁上横向地形成凹口；以及于凹口之中形成内间隔物结构。内间隔物结构包括被第一介电间隔物层与第二介电间隔物层封闭的内空气间隔物。

公开(公告)号：CN113013226A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011510967.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括形成在鳍区域上的第一和第二端子以及形成在第一和第二端子之间的密封层。密封层包括掺杂有氧的碳化硅材料。半导体器件还包括由密封层、鳍区域以及第一和第二端子围绕的气隙。本发明还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113013226B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011510967.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括形成在鳍区域上的第一和第二端子以及形成在第一和第二端子之间的密封层。密封层包括掺杂有氧的碳化硅材料。半导体器件还包括由密封层、鳍区域以及第一和第二端子围绕的气隙。本发明还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114823515A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210079494.1

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈婷婷 ,  何彩蓉 ,  葛宗翰 ,  郑雅如 ,  彭辞修 ,  王振翰 ,  梁顺鑫 ,  上野哲嗣 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔层。方法还包括移除牺牲间隔层以在第一间隔层及第二间隔层之间形成气隙，以及在气隙、第一间隔层及第二间隔层上旋涂介电层以填充凹槽及密封气隙。介电层包括用于旋涂介电材料的原料。

公开(公告)号：CN113013100A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011292567.2

申请日：2020-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口。第一侧壁和第二侧壁彼此相对。该方法还包括以第一沉积速率在开口的顶部上沉积第一介电材料，以及以第二沉积速率在第一介电材料上以及在第一侧壁和第二侧壁上沉积第二介电材料。第二介电材料以及第一侧壁和第二侧壁截留气袋。该方法还包括对第二介电材料执行处理工艺。