公开(公告)号：CN113871453A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111141899.5

申请日：2021-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  叶涵 ,  张文豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。

公开(公告)号：CN112599590A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010801803.2

申请日：2020-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  江宏礼 ,  吕俊颉 ,  李明洋 ,  陈自强

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体结构包含基材、第一鳍片结构、半导体层、栅极结构以及源极/漏极结构。第一鳍片结构属于一介电质材料，且位于基材上方。第一鳍片结构具有沿着一第一方向延伸的一第一侧壁以及一第二侧壁，且具有相接于第一侧壁与第二侧壁之间的一上表面。半导体层属于一二维材料，且沿着第一方向而至少位于第一鳍片结构的第一侧壁以及第二侧壁上方。栅极结构，邻近于半导体层的一第一部位。源极/漏极结构，邻近于半导体层的一第二部位。

公开(公告)号：CN110942980A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910909281.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  褚志彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。

公开(公告)号：CN113130326B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202011263835.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 褚志彪 ,  李明洋 ,  李连忠

IPC: H01L21/34 ,  H10D62/13 ,  H10D64/23 ,  H10D84/83

Abstract: 制造半导体器件的方法包括将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分。金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素。在应用等离子体之后，在金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN115877653A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210806502.8

申请日：2022-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  李明洋 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括薄膜框架和附接至薄膜框架的主膜。主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且单壁纳米管或同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。本发明的实施例还提供了制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。

公开(公告)号：CN115437207A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210492979.3

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵 ,  李明洋 ,  皮特纳·麦可·格列高里

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN110942980B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201910909281.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  褚志彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。

公开(公告)号：CN113130326A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011263835.8

申请日：2020-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 褚志彪 ,  李明洋 ,  李连忠

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 制造半导体器件的方法包括将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分。金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素。在应用等离子体之后，在金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。