公开(公告)号：CN105870102B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510027762.5

申请日：2015-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  吴佳典 ,  郑价言

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导电部件延伸到第一导电部件内。此外，该半导体器件包括位于第一介电层上方并且围绕第二导电部件的第二介电层。本发明还涉及镶嵌结构的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN105870102A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510027762.5

申请日：2015-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  吴佳典 ,  郑价言

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导电部件延伸到第一导电部件内。此外，该半导体器件包括位于第一介电层上方并且围绕第二导电部件的第二介电层。本发明还涉及镶嵌结构的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN105374772A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410800485.2

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  谢志宏

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76813 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供了双镶嵌结构的结构和形成方法。提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的导电部件。该半导体器件结构还包括位于导电部件和半导体衬底上方的介电层和位于介电层中的通孔。通孔具有椭圆形的截面。该半导体器件结构还包括位于介电层中的沟槽，通孔从沟槽的底部开始延伸。沟槽的沟槽宽度宽于通孔的孔宽度。此外，该半导体器件结构包括一种或多种导电材料，其填充通孔和沟槽并且电连接至导电部件。

公开(公告)号：CN111106236A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910700730.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  陈玉树 ,  杨心怡 ,  王辰戎 ,  黄建中 ,  林函廷 ,  谢志宏 ,  傅强

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括形成磁隧道结(MTJ)堆叠层，其包括：沉积底部电极层；在底部电极层之上沉积底部磁电极层；在底部磁电极层之上沉积隧道阻挡层；在隧道阻挡层之上沉积顶部磁电极层；以及在顶部磁电极层之上沉积顶部电极层。该方法还包括对MTJ堆叠层进行图案化以形成MTJ；以及在MTJ的侧壁上执行钝化工艺以形成保护层。钝化工艺包括使MTJ的侧壁表面部分与工艺气体反应，所述工艺气体包括选自由氧、氮、碳及其组合组成的组的元素。

公开(公告)号：CN111106236B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201910700730.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  陈玉树 ,  杨心怡 ,  王辰戎 ,  黄建中 ,  林函廷 ,  谢志宏 ,  傅强

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 本公开涉及用于形成半导体的方法以及半导体器件。一种方法包括形成磁隧道结(MTJ)堆叠层，其包括：沉积底部电极层；在底部电极层之上沉积底部磁电极层；在底部磁电极层之上沉积隧道阻挡层；在隧道阻挡层之上沉积顶部磁电极层；以及在顶部磁电极层之上沉积顶部电极层。该方法还包括对MTJ堆叠层进行图案化以形成MTJ；以及在MTJ的侧壁上执行钝化工艺以形成保护层。钝化工艺包括使MTJ的侧壁表面部分与工艺气体反应，所述工艺气体包括选自由氧、氮、碳及其组合组成的组的元素。

公开(公告)号：CN105374772B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410800485.2

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  谢志宏

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76813 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供了双镶嵌结构的结构和形成方法。提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的导电部件。该半导体器件结构还包括位于导电部件和半导体衬底上方的介电层和位于介电层中的通孔。通孔具有椭圆形的截面。该半导体器件结构还包括位于介电层中的沟槽，通孔从沟槽的底部开始延伸。沟槽的沟槽宽度宽于通孔的孔宽度。此外，该半导体器件结构包括一种或多种导电材料，其填充通孔和沟槽并且电连接至导电部件。