公开(公告)号：CN102386082B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110187893.1

申请日：2011-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李达元 ,  许光源 ,  叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖 ,  黄明杰 ,  廖士贤

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的第一宽度与第二宽度。本发明的金属栅极形成于具有修饰形状的开口中，使得金属可更适当地填入开口中。由于开口和/或最终的栅极结构具有修饰后的形状，因此有可降低开口的深宽比、增加阶梯覆盖率、降低金属填充时凸出开口的程度、减少孔洞、增加工艺容忍度、降低栅极电阻、和/或其他可能的好处。

公开(公告)号：CN102214579B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010568174.X

申请日：2010-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜天才 ,  林献钦 ,  林家彬 ,  林学仕 ,  陈立勋 ,  廖士贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件的制作方法及半导体元件，该半导体元件的制作方法，包括在基底的第一及第二区中分别形成第一及第二鳍状结构；在第一及第二鳍状结构上分别形成第一及第二栅极结构，其分别包括第一及第二多晶硅栅极；在基底上形成层间介电层；在层间介电层上进行化学机械研磨以露出第一及第二多晶硅栅极；形成保护层以保护第一多晶硅栅极；移除第二多晶硅栅极，因而形成第一沟槽；移除保护层；部分移除第一多晶硅栅极，因而形成第二沟槽；形成功函数金属层，部分填充第一及第二沟槽；形成填充金属层，填充第一及第二沟槽的余留的部分；及移除位于第一及第二沟槽外的金属层。本发明提出的半导体元件具有较高的金属栅极应力敏感度。

公开(公告)号：CN102214579A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010568174.X

申请日：2010-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜天才 ,  林献钦 ,  林家彬 ,  林学仕 ,  陈立勋 ,  廖士贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件的制作方法及半导体元件，该半导体元件的制作方法，包括在基底的第一及第二区中分别形成第一及第二鳍状结构；在第一及第二鳍状结构上分别形成第一及第二栅极结构，其分别包括第一及第二多晶硅栅极；在基底上形成层间介电层；在层间介电层上进行化学机械研磨以露出第一及第二多晶硅栅极；形成保护层以保护第一多晶硅栅极；移除第二多晶硅栅极，因而形成第一沟槽；移除保护层；部分移除第一多晶硅栅极，因而形成第二沟槽；形成功函数金属层，部分填充第一及第二沟槽；形成填充金属层，填充第一及第二沟槽的余留的部分；及移除位于第一及第二沟槽外的金属层。本发明提出的半导体元件具有较高的金属栅极应力敏感度。

公开(公告)号：CN102386082A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110187893.1

申请日：2011-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李达元 ,  许光源 ,  叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖 ,  黄明杰 ,  廖士贤

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的第一宽度与第二宽度。本发明的金属栅极形成于具有修饰形状的开口中，使得金属可更适当地填入开口中。由于开口和/或最终的栅极结构具有修饰后的形状，因此有可降低开口的深宽比、增加阶梯覆盖率、降低金属填充时凸出开口的程度、减少孔洞、增加工艺容忍度、降低栅极电阻、和/或其他可能的好处。