公开(公告)号：CN102290374B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201010522906.1

申请日：2010-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明桓 ,  郑振辉 ,  欧阳晖 ,  邱远鸿 ,  陈燕铭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66515 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种制造集成电路(IC)装置的方法。以上所揭露的方法在IC装置的表面接近量(Surface？Proximity)以及顶端深度(Tip？Depth)上提供受到改善的控制。在一实施例中，上述方法是利用，于IC装置的源极区与漏极区之中形成掺杂区及轻掺杂源极与漏极(Lightly？Doped？Source？and？Drain；LDD)区，来达成受到改善的控制。掺杂区是以相对于LDD区的掺质型态来进行植入。

公开(公告)号：CN103762236A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310673831.0

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明桓 ,  欧阳晖 ,  郑振辉 ,  范玮寒

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形成一凹陷于基材中的蚀刻工艺期间作为蚀刻终止，此凹陷定义出此组件的源极与漏极区。

公开(公告)号：CN102034758B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201010003773.7

申请日：2010-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  欧阳晖 ,  李达元 ,  许光源 ,  陶宏远 ,  于雄飞

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供集成电路元件的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成包含第一伪栅极的栅极结构，从栅极结构移除第一伪栅极形成沟槽，形成界面层、高介电常数介电层与覆盖层，部分地填充沟槽，于覆盖层之上形成第二伪栅极，其中第二伪栅极填充沟槽，以及以金属栅极置换第二伪栅极。在一实施例中，此方法包括提供基底，在基底之上形成界面层，在界面层之上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层之上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层之上形成包含低热预算硅层的覆盖层，在覆盖层之上形成伪栅极层，形成栅极结构，以及进行栅极置换工艺。

公开(公告)号：CN102148198B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010220700.3

申请日：2010-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  欧阳晖 ,  钟汉邠 ,  王祥保

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明揭露一种制造集成电路与栅极结构的方法。在此方法中，首先形成具有有限厚度的硬式掩模层于栅极层上。接着，对硬式掩模层提供一加工处理，以使硬式掩模层更能抵抗湿式蚀刻溶液。然后，对已加工的硬式掩模层和栅极提供图案化处理，以形成栅极结构。

公开(公告)号：CN101740518B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200910226221.X

申请日：2009-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  古淑瑗 ,  欧阳晖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。

公开(公告)号：CN101901762B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010138530.4

申请日：2010-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林舜武 ,  欧阳晖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种用于形成金属栅极晶体管的方法。该方法包括：用第一溶液清洗扩散势垒，第一溶液包括至少一种表面活性剂，第一溶液的表面活性剂的量约为临界胶束浓度(CMC)以上。用第二溶液清洗扩散势垒，第二溶液具有物理力以去除扩散势垒上方的颗粒，其中，第二溶液基本不与扩散势垒互相作用。

公开(公告)号：CN102290374A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201010522906.1

申请日：2010-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明桓 ,  郑振辉 ,  欧阳晖 ,  邱远鸿 ,  陈燕铭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66515 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种制造集成电路(IC)装置的方法。以上所揭露的方法在IC装置的表面接近量(Surface Proximity)以及顶端深度(Tip Depth)上提供受到改善的控制。在一实施例中，上述方法是利用，于IC装置的源极区与漏极区之中形成掺杂区及轻掺杂源极与漏极(Lightly Doped Source and Drain；LDD)区，来达成受到改善的控制。掺杂区是以相对于LDD区的掺质型态来进行植入。

公开(公告)号：CN102044423A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010501915.2

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种栅极结构的制造方法，包括：于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假栅极电极层；使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假栅极电极层；移除该假栅极电极层；于一第一温度下，暴露该假氧化物层的一表面于含氨气与含氟化合物的一气态混合物中，以移除该假氧化物层；加热该基板至高于该第一温度的一第二温度，以于该含氮介电层内形成一开口；沉积一栅极介电物；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构可蚀刻借由干化学可具有没有凹口于层间介电层内或基底内。

公开(公告)号：CN101740518A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226221.X

申请日：2009-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  古淑瑗 ,  欧阳晖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。

公开(公告)号：CN102386082B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110187893.1

申请日：2011-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李达元 ,  许光源 ,  叶明熙 ,  黄益成 ,  徐帆毅 ,  欧阳晖 ,  黄明杰 ,  廖士贤

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供半导体元件的形成方法，首先形成开口于基板上，开口在靠近基板表面的部分具有第一宽度，在远离基板表面的部分具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。接着将导电材料填入开口中以形成金属栅极。至此形成的半导体元件，其金属栅极结构具有不同的第一宽度与第二宽度。本发明的金属栅极形成于具有修饰形状的开口中，使得金属可更适当地填入开口中。由于开口和/或最终的栅极结构具有修饰后的形状，因此有可降低开口的深宽比、增加阶梯覆盖率、降低金属填充时凸出开口的程度、减少孔洞、增加工艺容忍度、降低栅极电阻、和/或其他可能的好处。