公开(公告)号：CN114300416A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202011392694.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(南京)有限公司

Inventor： 林含谕 ,  李芳苇 ,  林启德 ,  布力汗 ,  沈泽民 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  杨承慈 ,  李慈莉 ,  林执中

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。

公开(公告)号：CN115527947A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210886648.8

申请日：2022-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  蔡彦明 ,  戴谊宁 ,  布力汗 ,  黄鸿仪 ,  陈泓旭 ,  张志维

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，本文所述的技术能以选择性方式为p型源极/漏极区域与n型源极/漏极区域形成相应(不同)类型的金属硅化物层。举例而言，可选择性地形成p型金属硅化物层在p型源极/漏极区域上方(例如，使得p型金属硅化物层不形成在n型源极/漏极区域上方)，且可形成(可为选择性地或非选择性地)n型金属硅化物层在n型源极/漏极区域上方。提供介于p型金属硅化物层及p型源极/漏极区域之间的低萧特基能障高度与介于n型金属硅化物层及n型源极/漏极区域之间的低萧特基能障高度。p型源极/漏极区域与n型源极/漏极区域两者的接触电阻降低。