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公开(公告)号：CN106531795B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201510796186.0
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法。半导体装置各自包含通道区与栅极堆叠。栅极堆叠包含栅极绝缘物、一对分隔的第一金属栅极层、以及第二金属栅极层。栅极绝缘物沿着通道区的长度方向延伸。第一金属栅极层具有第一功函数，并自栅极绝缘物延伸。第二金属栅极层位于第一金属栅极层之间，其具有不同于第一功函数的第二功函数，并自栅极绝缘物延伸。本发明的半导体装置可沉积多种厚度的金属以调整晶体管的临界电压。采用不同临界电压(VTH1与VTH2)的两种金属，可将装置的临界电压调整于VTH1与VTH2之间。
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公开(公告)号：CN105810720B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510856836.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是关于在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变。根据本发明一实施例的装置包含半导体衬底和所述半导体衬底上方的垂直纳米导线。所述垂直纳米导线包含底部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域上方的沟道区域，以及所述沟道区域上方的顶部源极/漏极区域。顶部层间电介质ILD包围所述顶部源极/漏极区域。所述装置进一步包含包围所述底部源极/漏极区域的底部ILD、包围所述沟道区域的栅电极以及应变施加层，所述应变施加层具有在所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧上的垂直部分，并且接触所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧壁。
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公开(公告)号：CN107204368A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610638845.2
申请日：2016-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L27/0705 , H01L27/1023 , H01L27/1027 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0834 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66121 , H01L29/66363 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/74 , H01L29/775 , H01L29/87 , H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66477
Abstract: 提供了一种半导体元件结构。半导体元件结构包括具有一顶面的一基板。半导体元件结构包括位于该基板上的一第一柱状结构。该第一柱状结构包括依序堆迭在一起的一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层。该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。
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公开(公告)号：CN107017339A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611085215.3
申请日：2016-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2454 , G11C7/04 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/53 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法，其包括基板及储存单元结构于基板之上，此外，储存单元结构包含第一电极层于基板之上，及一变电阻材料层于第一电极层之上。储存单元结构更包含第二电极层于变电阻材料层之上。此外，变电阻材料层包含半金属及半金属合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106549060A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510860099.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/3085 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L29/4236 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L21/28 , H01L21/762 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含一鳍板结构，位于一半导体基底之上。半导体装置结构亦包含一栅极堆叠，覆盖鳍板结构的一部分。半导体装置结构更包含一间隔元件，位于栅极堆叠的一侧壁之上。上述间隔元件包括：一第一层及位于第一层之上的一第二层。第一层的介电常数大于第二层的介电常数。
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公开(公告)号：CN114664937A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210374385.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含一鳍板结构，位于一半导体基底之上。半导体装置结构亦包含一栅极堆叠，覆盖鳍板结构的一部分。半导体装置结构更包含一间隔元件，位于栅极堆叠的一侧壁之上。上述间隔元件包括：一第一层及位于第一层之上的一第二层。第一层的介电常数大于第二层的介电常数。
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公开(公告)号：CN107146843A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201611206754.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L35/325 , H01L35/32 , H02N11/002
Abstract: 本公开提供一种热电产生器，其包括一热电结构以及一桥式整流器。上述热电结构包括一半导体基底、设置在上述半导体基底上的一第一金属层、设置在上述第一金属层上的一介电层、设置在上述介电层上的一第二金属层，以及设置在上述介电层内且耦接于上述第一电极与上述第二电极之间的多第一材料。上述第一金属层包括多第一电极。上述第二金属层包括多第二电极。上述桥式整流器根据来自上述热电结构的一电能而提供一输出电压。上述热电结构是根据上述第一金属层与上述第二金属层之间的一温度差而提供上述电能。上述第一材料是一热电材料。本公开提供的热电产生器可提高能源利用效率。
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公开(公告)号：CN106531795A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510796186.0
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L21/28008 , H01L29/42356
Abstract: 本公开提供半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法。半导体装置各自包含通道区与栅极堆叠。栅极堆叠包含栅极绝缘物、一对分隔的第一金属栅极层、以及第二金属栅极层。栅极绝缘物沿着通道区的长度方向延伸。第一金属栅极层具有第一功函数，并自栅极绝缘物延伸。第二金属栅极层位于第一金属栅极层之间，其具有不同于第一功函数的第二功函数，并自栅极绝缘物延伸。本发明的半导体装置可沉积多种厚度的金属以调整晶体管的临界电压。采用不同临界电压(VTH1与VTH2)的两种金属，可将装置的临界电压调整于VTH1与VTH2之间。
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公开(公告)号：CN105810720A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510856836.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L29/1054
Abstract: 本发明是关于在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变。根据本发明一实施例的装置包含半导体衬底和所述半导体衬底上方的垂直纳米导线。所述垂直纳米导线包含底部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域上方的沟道区域，以及所述沟道区域上方的顶部源极/漏极区域。顶部层间电介质ILD包围所述顶部源极/漏极区域。所述装置进一步包含包围所述底部源极/漏极区域的底部ILD、包围所述沟道区域的栅电极以及应变施加层，所述应变施加层具有在所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧上的垂直部分，并且接触所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧壁。
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