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公开(公告)号：CN110954585B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201910882064.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明实施例涉及生物场效应晶体管传感器的差动式感测、生物场效应晶体管传感器的制造方法及其感测方法。本揭露提供一种传感器阵列，其包含半导体衬底、第一多个FET传感器及第二多个FET传感器。所述FET传感器的各者包含：沟道区，其位于所述半导体衬底中的源极区与漏极区之间且位于放置于所述沟道区的第一侧上的栅极结构下方；及介电质层，其经放置于与所述沟道区的所述第一侧相对的所述沟道区的第二侧上。第一多个捕获试剂在所述第一多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层，且第二多个捕获试剂在所述第二多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层。
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公开(公告)号：CN110660781A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910573332.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN110967379A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910885185.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/22 , H01L41/113 , H01L41/22
Abstract: 在一些实施例中，提供一种压电式生物传感器。所述压电式生物传感器包括半导体衬底。第一电极设置在半导体衬底之上。压电结构设置在第一电极上。第二电极设置在压电结构上。感测储库设置在压电结构之上且暴露到周围环境，其中感测储库被配置成收集包括多个生物实体的流体。
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公开(公告)号：CN110957413B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/00 , H10N30/063
Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN116553469A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210977196.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230685A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210936810.2
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。一种半导体结构包括第一管芯、第二管芯和管芯间过孔(IDV)。第一管芯包括互连结构和电连接到互连结构的CMOS器件。第二管芯包括存储器元件，该存储器元件包括第一电极、位于第一电极上的铁电层和位于铁电层上的第二电极，其中，从俯视角度看，铁电层的周边区域被第二电极暴露并且围绕第二电极。IDV将第一管芯的互连结构电连接到第二管芯的存储器元件。
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公开(公告)号：CN112683755A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010870002.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N15/14 , G01N33/487 , G01N33/543 , G01N27/327 , G01N33/574 , G01N33/58
Abstract: 公开了具有bioFET传感器、生物指纹传感器和温度传感器的阵列的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧上形成栅电极，在半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间形成沟道区域，以及在半导体衬底的第二侧上形成压电传感器区域。第二侧基本平行于第一侧并且与第一侧相对。该方法还包括在压电传感器区域的形成期间在第二侧上形成温度感测电极，在沟道区域上形成感测阱，以及将捕获试剂结合在感测阱上。
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公开(公告)号：CN110957413A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/293
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN110954585A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910882064.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明实施例涉及生物场效应晶体管传感器的差动式感测、生物场效应晶体管传感器的制造方法及其感测方法。本揭露提供一种传感器阵列，其包含半导体衬底、第一多个FET传感器及第二多个FET传感器。所述FET传感器的各者包含：沟道区，其位于所述半导体衬底中的源极区与漏极区之间且位于放置于所述沟道区的第一侧上的栅极结构下方；及介电质层，其经放置于与所述沟道区的所述第一侧相对的所述沟道区的第二侧上。第一多个捕获试剂在所述第一多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层，且第二多个捕获试剂在所述第二多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层。
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公开(公告)号：CN107128869A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710100538.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B3/0008 , B81B2203/0307 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0181 , B81C2203/035 , B81B7/007 , B81B7/0009 , B81C1/00015
Abstract: 一种半导体结构，包括衬底；介电层，设置在衬底上方；传感结构，设置在介电层上方；接合结构，设置在介电层上方；导电层，覆盖传感结构；以及阻挡层，设置在介电层、导电层和接合结构上方；其中，导电层和接合结构至少部分地从阻挡层暴露。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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