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公开(公告)号：CN111627943B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010096046.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。
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公开(公告)号：CN109817548A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811359669.4
申请日：2018-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。
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公开(公告)号：CN108621023A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710164616.6
申请日：2017-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种化学机械研磨机台及化学机械研磨制程。化学机械研磨机台包含研磨垫、研磨头以及流体喷射装置。研磨头设置在该研磨垫上方，配置以控制晶圆相对研磨垫旋转，以使研磨垫研磨晶圆的表面。流体喷射装置设置在研磨垫上方，配置以对研磨垫喷射流体。流体喷射装置包含条状喷头以及流体供应源。条状喷头具有第一空间以及与第一空间连通的喷射孔，喷射孔沿着条状喷头的延伸方向设置。流体供应源连接条状喷头，且流体供应源配置以提供流体至第一空间中，以使流体自喷射孔射出。
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公开(公告)号：CN119725222A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411344024.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了接触结构及其形成方法。根据本公开的形成接触结构的方法包括：接收包括嵌入在第一介电层中的导电部件的工件；用含氮等离子体处理工件；在处理之后，在工件上方沉积第一蚀刻停止层(ESL)；在第一ESL上方沉积第二ESL；在第二ESL上方沉积第二介电层；形成穿过第二介电层、第二ESL、和第一ESL的开口，以暴露出导电部件；以及在开口中形成接触通孔。第一ESL包括氮化铝或者碳氮化硅，第二ESL包括氧化铝或者碳氧化硅。
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公开(公告)号：CN118943018A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410908844.X
申请日：2024-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 揭露具有在栅极结构与栅极间隔物层之间的阻隔层的半导体装置及其制造方法。方法包含在基板上形成鳍式结构、在鳍式结构上形成多晶硅结构、执行氮化作业，以在多晶硅结构及鳍式结构上形成阻隔层、在阻隔层上形成栅极间隔物层、在鳍式结构形成漏极/源极区域中，其中漏极/源极区域邻近于阻隔层、退火栅极结构、及将多晶硅结构替换为栅极结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786263A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810671115.1
申请日：2018-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶圆的接合方法，其特征在于，包含以下步骤。将第一晶圆耦接至接合装置的第一支撑座，并将第二晶圆耦接至接合装置的第二支撑座。在第一晶圆耦接至第一支撑座的情况下，将第二晶圆接合至第一晶圆。探测是否有气泡存在于接合装置中该第一晶圆与第二晶圆之间。
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公开(公告)号：CN118888551A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410894996.9
申请日：2024-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/82 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法。方法包含：蚀刻栅极堆叠，以形成沟渠延伸穿过栅极堆叠，此栅极堆叠包含金属栅极电极与栅极介电质，其中形成沟渠移除部分的栅极堆叠，以将栅极堆叠分隔成第一栅极堆叠部分与第二栅极堆叠部分；将沟渠延伸穿过栅极堆叠的下方的隔离区并进入隔离区的下方的半导体基材中；共形沉积第一介电材料于沟渠中的数个表面上；以及沉积第二介电材料于第一介电材料上，以填充沟渠，其中第一介电材料是比第二介电材料更柔性的材料。
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公开(公告)号：CN114628213A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110530051.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。
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公开(公告)号：CN113161218A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110080311.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明实施例涉及用于蚀刻设备的边缘环、蚀刻设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种设备包含：腔室；基座，其经配置以在所述腔室中接收及支撑半导体晶片；及边缘环，其安置于所述基座上方。所述边缘环包含：第一部分，其具有第一顶面；第二部分，其耦合到所述第一部分且具有低于所述第一顶面的第二顶面；及凹槽，其界定于所述第一部分中。所述第二顶面在所述半导体晶片下方。所述凹槽具有深度，且所述基座与所述凹槽的内表面之间的距离大体上等于所述凹槽的所述深度。
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公开(公告)号：CN108573907A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710144531.1
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种工件接合装置、工件对位方法以及工件承载装置。工件接合装置包含第一接合座、第二接合座、侦测单元及校正单元。第一接合座配置以承载第一工件。第一工件及/或第一接合座上设有第一上特征、第二上特征及第三上特征。第二接合座配置以承载第二工件。第二工件及/或第二接合座上设有第一下特征、第二下特征及第三下特征。侦测单元配置以侦测第一上特征与第一下特征的相对位置、第二上特征与第二下特征的相对位置及第三上特征与第三下特征的相对位置，并产生侦测结果。校正单元配置以根据侦测结果，调整第一工件与第二工件的相对位置。
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