公开(公告)号：CN111627943B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202010096046.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈咸利 ,  董怀仁 ,  廖耕颍 ,  陈柏仁 ,  叶书佑 ,  宋至伟

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。

公开(公告)号：CN113140582A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110052276.4

申请日：2021-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林津裕 ,  廖耕颍 ,  叶书佑 ,  陈柏仁 ,  董怀仁 ,  陈咸利

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种影像感测器结构及其制造方法，该影像感测器结构包括半导体元件、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构，及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格，及将钨网格与氧化物网格间隔开的粘附增强网格。

公开(公告)号：CN111627943A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010096046.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈咸利 ,  董怀仁 ,  廖耕颍 ,  陈柏仁 ,  叶书佑 ,  宋至伟

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。