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公开(公告)号：CN115508952A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210524495.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连结构，互连结构处于在基材的第一侧上的光栅上方，其中互连结构界定与光栅对准的一空腔。晶片进一步包括一第一多晶硅层，第一多晶硅层在基材的一第二侧上，其中基材的第二侧与基材的第一侧对置。
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公开(公告)号：CN106653760A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610765878.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11521
CPC classification number: H01L27/1156 , G11C16/0433 , G11C2216/04 , H01L27/11524 , H01L27/11558 , H01L29/40114 , H01L29/42328 , H01L29/7883 , H01L27/11521
Abstract: 非易失性存储器结构包括半导体衬底以及该半导体衬底中的第一掺杂剂类型的第一层。该非易失性存储结构还包括第一层上方的第二掺杂剂类型的第一阱区、第一层上方并且与第一阱区间隔开的第二掺杂剂类型的第二阱区、以及设置在第一阱区与第二阱区之间并且向下延伸至第一层的第一掺杂剂类型的第三阱区。本发明还提供了非易失性存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114530467A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110396400.9
申请日：2021-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，在半导体基板的硅层中形成至少一个掺杂硅区域，并且在硅层上方形成氧化硅层。含锗材料部形成在半导体基板中，以提供p‑n结或p‑i‑n结。p‑n结或p‑i‑n结具有含锗材料部和至少一个掺杂硅区域之一。在含锗材料部上方形成不含锗的覆盖材料层。在氧化硅层和覆盖材料层上方形成第一介电材料层。第一介电材料层包括凸台区域。凸台区域从含锗材料部抬升一个覆盖材料层的厚度。覆盖材料层可以是硅覆盖层，或者可以随后被去除以形成空腔。含锗材料部的暗电流减少了。
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公开(公告)号：CN109994481B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811398183.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明一些实施例揭露一种存储器装置以及存储器装置制造方法。所述存储器装置包含：第一存储器单元，其包含：第一晶体管；第二晶体管；及第一电容器；第二存储器单元，其包含：第三晶体管；第四晶体管；及第二电容器；第三存储器单元，其包含：第五晶体管；第六晶体管；及第三电容器；及第四存储器单元，其包含：第七晶体管；第八晶体管；及第四电容器；其中所述第一电容器的电极、所述第二电容器的电极、所述第三电容器的电极及所述第四电容器的电极电连接到导体。还揭露一种相关联制造方法。
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公开(公告)号：CN109994481A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811398183.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明一些实施例揭露一种存储器装置以及存储器装置制造方法。所述存储器装置包含：第一存储器单元，其包含：第一晶体管；第二晶体管；及第一电容器；第二存储器单元，其包含：第三晶体管；第四晶体管；及第二电容器；第三存储器单元，其包含：第五晶体管；第六晶体管；及第三电容器；及第四存储器单元，其包含：第七晶体管；第八晶体管；及第四电容器；其中所述第一电容器的电极、所述第二电容器的电极、所述第三电容器的电极及所述第四电容器的电极电连接到导体。还揭露一种相关联制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120085410A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510151426.5
申请日：2025-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请的实施例涉及光子集成电路器件及其形成方法。光子集成电路(PIC)包括应力结构，该应力结构产生增强光学器件的应力场。增强可以扩大光学器件的光学模式，控制光学器件的光模式，引起偏好TM模式和偏好TE模式之间的转换，使光学器件作为模式转换器操作，提高光学器件的耦合效率，改变光学器件的吸收光谱，或抵消应力噪声，以防止应力噪声使光学器件劣化。应力结构可以由与周围材料具有CTE不匹配或类似差异的材料岛组成。岛可以沿着器件的长度周期性地间隔开，并且可以对称地设置在器件的相对侧。
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公开(公告)号：CN114284382A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110448356.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G02B6/122
Abstract: 一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
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公开(公告)号：CN116454078A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210814699.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/50 , H01L23/544
Abstract: 本公开的各种实施例涉及包括光耦合集成电路(IC)芯片的半导体封装。第一IC芯片和第二IC芯片在衬底的中央处上覆于衬底上。光子芯片上覆于第一IC芯片和第二IC芯片上并电耦合到第二IC芯片。激光器件芯片在衬底的外围处上覆于衬底上，与光子芯片和第二IC芯片相邻。光子芯片被配置为根据来自第二IC芯片的电信号来调制来自激光器件芯片的激光束并将经调制的激光束提供给第一IC芯片。这有利于第一IC芯片与第二IC芯片之间的光通信。本公开的各种实施例进一步涉及同时对准并接合半导体封装的组成物。
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公开(公告)号：CN115528005A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210262210.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光学集成电路结构及其形成方法，光学集成电路(IC)结构包括：基板，包括形成于基板上表面中且自基板的边缘延伸的光纤槽，及形成于上表面且自光纤槽延伸的底切；设置于基板上的半导体层；设置于半导体层上的介电结构；设置于介电结构中的互连结构；多个通风孔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光底切；光纤腔，其延伸穿过介电结构的耦合区域且曝光光纤槽；及设置于介电结构中的阻障环，阻障环围绕互连结构且在耦合区域的周边绕线。
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公开(公告)号：CN114966961A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210037442.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光学器件及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种具有布置在衬底上方的第一波导和第二波导的器件。第一波导具有第一输入端子和第一输出端子，其中第一输入端子配置成接收光。第二波导横向布置在第一波导旁边，且具有第二输入端子和第二输出端子。第二波导的第二输入端子配置成接收光。第一波导进一步包含具有与第一波导的周围部分不同的结构的第一部分。第二波导进一步包含具有与第二波导的周围部分不同的结构的第二部分。第一波导在第一部分和第二部分处与第二波导以最大距离间隔开。
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