公开(公告)号：CN113110691B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202110183899.5

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王彦婷 ,  艾伦·罗斯 ,  艾力克·苏宁 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  郭良泰 ,  郑新立

IPC: G05F3/26

Abstract: 本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。第一电流镜单元配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至翻转栅极晶体管并提供一镜射电流。第二电流镜单元配置以相应于镜射电流而从晶体管汲取出一第二电流。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。

公开(公告)号：CN103050496A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210103818.7

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  徐英杰 ,  陈世宪 ,  郭良泰 ,  柯钧耀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1156 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/60 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。

公开(公告)号：CN106653760A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610765878.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世宪 ,  卢皓彦 ,  郭良泰 ,  柯钧耀 ,  徐英杰

IPC: H01L27/11521

CPC classification number: H01L27/1156 ,  G11C16/0433 ,  G11C2216/04 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7883 ,  H01L27/11521

Abstract: 非易失性存储器结构包括半导体衬底以及该半导体衬底中的第一掺杂剂类型的第一层。该非易失性存储结构还包括第一层上方的第二掺杂剂类型的第一阱区、第一层上方并且与第一阱区间隔开的第二掺杂剂类型的第二阱区、以及设置在第一阱区与第二阱区之间并且向下延伸至第一层的第一掺杂剂类型的第三阱区。本发明还提供了非易失性存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN103050496B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210103818.7

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  徐英杰 ,  陈世宪 ,  郭良泰 ,  柯钧耀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1156 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/60 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。

公开(公告)号：CN110783409A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910684433.6

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑新立 ,  郭良泰 ,  张聿骐

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例涉及具有低闪烁噪声的半导体装置和其形成方法。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含布置于半导体衬底中的源极区和漏极区，其中所述源极区与所述漏极区横向间隔。栅极堆叠布置于所述半导体衬底上和所述源极区与所述漏极区之间。盖层布置于所述栅极堆叠上，其中所述盖层的底面接触所述栅极堆叠的顶面。侧壁间隔件沿所述栅极堆叠和所述盖层的侧布置。抗蚀剂保护氧化物RPO层安置于所述盖层上，其中所述RPO层沿所述侧壁间隔件的侧延伸到所述半导体衬底。接触蚀刻停止层布置于所述RPO层、所述源极区和所述漏极区上。

公开(公告)号：CN110783409B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201910684433.6

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑新立 ,  郭良泰 ,  张聿骐

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例涉及具有低闪烁噪声的半导体装置和其形成方法。在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含布置于半导体衬底中的源极区和漏极区，其中所述源极区与所述漏极区横向间隔。栅极堆叠布置于所述半导体衬底上和所述源极区与所述漏极区之间。盖层布置于所述栅极堆叠上，其中所述盖层的底面接触所述栅极堆叠的顶面。侧壁间隔件沿所述栅极堆叠和所述盖层的侧布置。抗蚀剂保护氧化物RPO层安置于所述盖层上，其中所述RPO层沿所述侧壁间隔件的侧延伸到所述半导体衬底。接触蚀刻停止层布置于所述RPO层、所述源极区和所述漏极区上。

公开(公告)号：CN113110691A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110183899.5

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王彦婷 ,  艾伦·罗斯 ,  艾力克·苏宁 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  郭良泰 ,  郑新立

IPC: G05F3/26

Abstract: 本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。第一电流镜单元配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至翻转栅极晶体管并提供一镜射电流。第二电流镜单元配置以相应于镜射电流而从晶体管汲取出一第二电流。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。