公开(公告)号：CN114530467A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202110396400.9

申请日：2021-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄振浩 ,  卢皓彦 ,  许隨赢 ,  李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  赖佳平

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，在半导体基板的硅层中形成至少一个掺杂硅区域，并且在硅层上方形成氧化硅层。含锗材料部形成在半导体基板中，以提供p‑n结或p‑i‑n结。p‑n结或p‑i‑n结具有含锗材料部和至少一个掺杂硅区域之一。在含锗材料部上方形成不含锗的覆盖材料层。在氧化硅层和覆盖材料层上方形成第一介电材料层。第一介电材料层包括凸台区域。凸台区域从含锗材料部抬升一个覆盖材料层的厚度。覆盖材料层可以是硅覆盖层，或者可以随后被去除以形成空腔。含锗材料部的暗电流减少了。

公开(公告)号：CN115508952A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210524495.2

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄振浩 ,  卢皓彦 ,  许隨赢 ,  李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/42 ,  G02B6/02 ,  G02B6/293 ,  H01L23/60 ,  G02B6/12

Abstract: 一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连结构，互连结构处于在基材的第一侧上的光栅上方，其中互连结构界定与光栅对准的一空腔。晶片进一步包括一第一多晶硅层，第一多晶硅层在基材的一第二侧上，其中基材的第二侧与基材的第一侧对置。

公开(公告)号：CN115524796A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210074036.9

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许隨赢 ,  李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  黄振浩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/34

Abstract: 一种耦合系统及其使用方法，耦合系统包含用以承载光信号的光纤。耦合系统进一步包含与光纤光通讯的晶片。光纤与晶片的顶表面之间的角度介于约92度至约88度的范围。晶片包含：光栅，用以接收光信号；及波导，其中光栅用以接收光信号且将光信号沿波导重导向。

公开(公告)号：CN113917602A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110210106.4

申请日：2021-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李玥瑩 ,  吴建瑩 ,  许隨赢 ,  黄振浩 ,  李建璋 ,  赖佳平

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124

Abstract: 一种光学结构、半导体结构以及形成光学结构的方法，光学结构可通过如下步骤来提供：在介电材料层之上形成硅光栅结构；在硅光栅结构之上沉积至少一个介电材料层；以及在至少一个介电材料层之上沉积至少一个介电蚀刻停止层。至少一个介电蚀刻停止层包括选自氮化硅及氮氧化硅的至少一种介电材料。可在至少一个介电蚀刻停止层之上形成钝化介电层，并且可在钝化介电层之上形成图案化的蚀刻遮罩层。可通过执行各向异性蚀刻制程来穿过钝化介电层的未遮罩部分形成开口，各向异性蚀刻制程通过将图案化的蚀刻遮罩层用作遮罩结构来蚀刻对氮化硅或氮氧化硅具有选择性的介电材料。至少一个蚀刻遮罩层最小化过度蚀刻。