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公开(公告)号：CN102842664A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210181521.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L27/15 , H01L33/0004 , H01L33/005 , H01L33/62
Abstract: 发光二极管（LED）结构，即，LED结构，包括第一掺杂剂区、位于该第一掺杂剂区顶部上的介电层、位于该介电层第一部分的顶部上的接合焊盘层以及具有第一LED区和第二LED区的LED层。接合焊盘层电连接至第一掺杂剂区。第一LED区电连接至接合焊盘层。
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公开(公告)号：CN101567371B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810149552.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross-Talk)现象的发生，以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102446944A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110356117.X
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置。该装置包含：半导体衬底，具有像素区与周边区；光传感元件，形成于该像素区中；至少一个晶体管，形成于该像素区与该周边区中，具有源/漏极区；第一氧化层，在该源/漏极区形成之前形成，且覆盖于该光传感元件上；以及第二氧化层，在该源/漏极区形成之后形成，且覆盖于该第一氧化层上。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101567371A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810149552.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross－Talk)现象的发生，以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102637784B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110221680.6
申请日：2011-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/647 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/92247
Abstract: 本发明公开了发光二极管封装基板及其制作方法，根据一实施例提供一种发光二极管发射器基板的制作方法，包括在一硅基板上形成多个穿硅导孔；沉积一介电层于硅基板的一第一侧与一第二侧上以及于穿硅导孔的侧壁表面上；于位于硅基板的第一侧与第二侧上的介电层上图案化地形成一金属层，并填满穿硅导孔；以及于硅基板的第二侧上的金属层上形成多个高反射接垫，以作为发光二极管接合与导线接合之用。本发明的发光二极管封装基板，其可增加接合的发光二极管的出光效率、可忍受各种环境因素、以及可轻易地且有成本效益地制得。
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公开(公告)号：CN102637784A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110221680.6
申请日：2011-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/647 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/92247
Abstract: 本发明公开了发光二极管封装基板及其制作方法，根据一实施例提供一种发光二极管发射器基板的制作方法，包括在一硅基板上形成多个穿硅导孔；沉积一介电层于硅基板的一第一侧与一第二侧上以及于穿硅导孔的侧壁表面上；于位于硅基板的第一侧与第二侧上的介电层上图案化地形成一金属层，并填满穿硅导孔；以及于硅基板的第二侧上的金属层上形成多个高反射接垫，以作为发光二极管接合与导线接合之用。本发明的发光二极管封装基板，其可增加接合的发光二极管的出光效率、可忍受各种环境因素、以及可轻易地且有成本效益地制得。
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公开(公告)号：CN101236925B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810009255.9
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少一个晶体管的步骤包含：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及，以离子注入方式形成多个源/漏极区。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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公开(公告)号：CN101236925A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009255.9
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少一个晶体管的步骤包含：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及，以离子注入方式形成多个源/漏极区。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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