公开(公告)号：CN103367441B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210413989.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治斯·威廉提斯 ,  马克·范·达尔 ,  布兰丁·迪里耶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上方的晶体管的沟道区。沟道区包括半导体材料。气隙设置在沟道区的下方并且与沟道区对准，其中，沟道区的底面暴露于气隙。绝缘区设置在气隙的相对侧上，其中，沟道区的底面高于绝缘区的顶面。晶体管的栅极电介质设置在沟道区的顶面和侧壁上。晶体管的栅电极位于栅极电介质上方。本发明提供具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法。

公开(公告)号：CN103367441A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210413989.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治斯·威廉提斯 ,  马克·范·达尔 ,  布兰丁·迪里耶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上方的晶体管的沟道区。沟道区包括半导体材料。气隙设置在沟道区的下方并且与沟道区对准，其中，沟道区的底面暴露于气隙。绝缘区设置在气隙的相对侧上，其中，沟道区的底面高于绝缘区的顶面。晶体管的栅极电介质设置在沟道区的顶面和侧壁上。晶体管的栅电极位于栅极电介质上方。本发明提供具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法。

公开(公告)号：CN104051267B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310381600.2

申请日：2013-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多夫·霍兰德 ,  乔治斯·威廉提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体材料的方法，包括在包含氢气（H2）和氯化氢（HCl）以作为工艺气体的环境中对硅区域进行退火。在退火步骤之后，从硅区域的表面处生长半导体区域。

公开(公告)号：CN104037227B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310236959.0

申请日：2013-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戈本·多恩伯斯 ,  马克范·达尔 ,  乔治斯·威廉提斯 ,  布兰丁·迪里耶 ,  克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  查理德·肯尼斯·奥克斯兰德 ,  马丁·克里斯多夫·霍兰德 ,  施奕强 ,  马提亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795

Abstract: 具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选地包含铝，以及沟道层可以可选地包含III-V族半导体化合物。STI可以设置在沟道背面钝化层的相对侧上，并且沟道背面钝化层可以具有在STI的顶面之上设置的顶面以及在STI的顶面之下设置的底面。本发明还提供了一种具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法。

公开(公告)号：CN106158587B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201510733415.4

申请日：2015-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治斯·威廉提斯 ,  马丁·克里斯多夫·霍兰德

IPC: H01L21/02

Abstract: 制造半导体器件的方法可以包括：在绝缘层中形成开口以暴露衬底的主要表面的部分，该衬底包括第一半导体材料；使用第一外延生长工艺在开口中形成突出件，该突出件包括设置在开口中的第一部分和延伸出开口的第二部分，该突出件包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及使用与第一外延生长工艺不同的第二外延生长工艺在突出件的第二部分的侧壁上形成第二半导体材料。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN108281422A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810068843.3

申请日：2012-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克·范·达尔 ,  戈本·多恩伯斯 ,  乔治斯·威廉提斯 ,  李宗霖 ,  袁锋

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了具有应变SiGe沟道的半导体和用于制造这种器件的方法。在实施例中，半导体器件包括：衬底，衬底包括至少两个隔离部件；鳍状衬底，位于至少两个隔离部件之间并且位于至少两个隔离部件的上方；以及外延层，位于鳍状衬底的露出部分的上方。根据一方面，外延层可以位于鳍状衬底的顶面和侧面上。根据另一方面，鳍状衬底可以基本上完全位于至少两个隔离部件的上方。

公开(公告)号：CN103915495B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310163388.2

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克·范·达尔 ,  乔治斯·威廉提斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795

Abstract: 在许多其他方面，还提供了包括一个或多个小平面表面的半导体器件以及用于形成该半导体器件的技术。诸如finFET的半导体器件包括形成于半导体衬底上的鳍。鳍包括源极区、沟道和漏极区。围绕该沟槽形成栅极。对鳍的上鳍部进行退火，例如通过氢退火工艺，以形成一个或多个小平面表面。例如，上鳍部包括形成为与第二小平面表面相邻且相对于第二小平面表面成大于90度的角度的第一小平面表面，这导致第一小平面表面和第二小平面表面之间转角的尖锐度减小。这样，该转角附近的电场与鳍内的其他地方所感应到的电场基本一致。本发明还公开了一种小平面式鳍式场效应晶体管。

公开(公告)号：CN104051267A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310381600.2

申请日：2013-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马丁·克里斯多夫·霍兰德 ,  乔治斯·威廉提斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体材料的方法，包括在包含氢气（H2）和氯化氢（HCl）以作为工艺气体的环境中对硅区域进行退火。在退火步骤之后，从硅区域的表面处生长半导体区域。

公开(公告)号：CN104037227A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310236959.0

申请日：2013-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戈本·多恩伯斯 ,  马克范·达尔 ,  乔治斯·威廉提斯 ,  布兰丁·迪里耶 ,  克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  查理德·肯尼斯·奥克斯兰德 ,  马丁·克里斯多夫·霍兰德 ,  施奕强 ,  马提亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795

Abstract: 具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选地包含铝，以及沟道层可以可选地包含III-V族半导体化合物。STI可以设置在沟道背面钝化层的相对侧上，并且沟道背面钝化层可以具有在STI的顶面之上设置的顶面以及在STI的顶面之下设置的底面。本发明还提供了一种具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法。

公开(公告)号：CN108281422B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201810068843.3

申请日：2012-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克·范·达尔 ,  戈本·多恩伯斯 ,  乔治斯·威廉提斯 ,  李宗霖 ,  袁锋

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了具有应变SiGe沟道的半导体和用于制造这种器件的方法。在实施例中，半导体器件包括：衬底，衬底包括至少两个隔离部件；鳍状衬底，位于至少两个隔离部件之间并且位于至少两个隔离部件的上方；以及外延层，位于鳍状衬底的露出部分的上方。根据一方面，外延层可以位于鳍状衬底的顶面和侧面上。根据另一方面，鳍状衬底可以基本上完全位于至少两个隔离部件的上方。