公开(公告)号：CN116133360A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211088972.1

申请日：2022-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈瑞麟 ,  王朝勋 ,  苏信文 ,  丁一峰 ,  王奇桦 ,  李怡鸿 ,  涂元添 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  王屏薇 ,  洪连嵘

IPC: H10B10/00

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括形成从衬底突出的鳍状结构，形成与鳍状结构相交的栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件，以及在鳍状结构上方形成导电部件。栅极间隔件横向位于栅极结构和导电部件之间。方法还包括在栅极结构和导电部件上方沉积介电层，执行蚀刻工艺，从而形成穿过介电层的开口并暴露导电部件和栅极结构的顶面，通过开口凹进栅极间隔件，从而暴露栅极结构的侧壁，以及在开口中形成接触部件，其中接触部件与导电部件接触并且具有向下突出以与栅极结构的侧壁接触的底部。

公开(公告)号：CN118645473A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410654572.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈瑞麟 ,  张朝渊 ,  张峰铭 ,  张永廷 ,  王屏薇 ,  丁一峰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体结构。半导体结构包括：功能单元区域，包括n型功能晶体管和p型功能晶体管。半导体结构也包括：第一电源传输单元区域，包括第一切割部件和位于第一切割部件中的第一接触轨。半导体结构也包括：第一电源轨，电连接至p型功能晶体管的源极端子和第一电源传输单元区域的第一接触轨。半导体结构也包括：第二电源传输单元区域，与第一电源传输单元相邻并且包括第二切割部件和位于第二切割部件中的第二接触轨。半导体结构也包括：绝缘带，在第一方向上从第一切割部件延伸至第二切割部件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN220858819U

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202322219230.4

申请日：2023-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈瑞麟 ,  林建隆 ,  张峰铭 ,  丁一峰 ,  苏信文 ,  洪连嵘 ,  王屏薇

IPC: H10B10/00

Abstract: 半导体装置包括在基板的正面上的第一源极/漏极特征。半导体装置包括在第一源极/漏极特征下方并且沿着第一方向纵向延伸的第一背面金属线。半导体装置包括设置在第一源极/漏极特征和第一背面金属线之间的第一背面通孔。第一背面金属线是第一静态随机存取存储器(SRAM)单元的第一位元线，并且通过第一背面通孔连接至第一源极/漏极特征。第一背面金属线包括各自沿着垂直于第一方向的第二方向横向延伸的第一部分和第二部分，第一部分比第二部分宽，并且第一部分部分地落在第一背面通孔上。第一部分和第二部分沿着第一方向在一侧上大抵对齐。

公开(公告)号：CN221488221U

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202322920849.8

申请日：2023-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈瑞麟 ,  苏信文 ,  王志庆 ,  李振铭 ,  杨崇巽 ,  丁一峰 ,  何炯煦 ,  洪连嵘 ,  王屏薇

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体结构，包括第一有源区与第二有源区，沿着第一方向纵向延伸；栅极堆叠沿着第二方向纵向延伸，且第二方向垂直于第一方向；介电结构沿着第一方向纵向延伸，并位于第一有源区与第二有源区之间，其中介电结构将栅极堆叠分成第一有源区上的第一部分以及第二有源区上的第二部分；第一外延结构位于第一有源区上；第二外延结构位于第二有源区上，第一外延结构与第二外延结构位于介电结构的两侧上；背侧导电结构电性耦接至第一外延结构与第二外延结构，背侧导电结构包括第一脚部着陆于第一外延结构的下表面上、第二脚部着陆于第二外延结构的下表面上，以及中间部分物理连接第一脚部与第二脚部，中间部分直接位于介电结构之下。