公开(公告)号：CN104064444A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310288712.3

申请日：2013-07-10

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 牧野亮平 ,  熊田贵夫 ,  江户雅晴 ,  高木启史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0259

Abstract: 本发明提供一种能够很好地抑制半导体晶片外周部中的裂纹产生的半导体晶片的制造方法及半导体晶片。半导体晶片的制造方法包括：在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层的化合物半导体层形成工序；和通过蚀刻除去形成于上述基板主表面的外周部的化合物半导体层的除去工序。另外，还包括在基板的主表面上形成种类不同于上述基板的化合物半导体层的化合物半导体层形成工序，在上述化合物半导体层形成工序中，将上述基板主表面的外周部遮蔽的同时形成该化合物半导体层。