-
公开(公告)号：CN104505397B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410599281.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5209
Abstract: 本发明公开了一种电激发光显示面板的像素结构，包括一基板、一显示驱动结构、一平坦结构以及一电激发光元件。显示驱动结构设置于基板上，其中显示驱动结构包括一驱动元件。平坦结构设置于基板上，其中平坦结构包覆驱动元件的一上表面与一侧壁，且平坦结构具有一接触洞，部分暴露出驱动元件。电激发光元件设置于平坦结构上，其中电激发光元件包括一阳极、一发光层以及一阴极。阳极覆盖平坦结构的一上表面并环绕平坦结构的一侧壁，其中阳极填入接触洞内而与驱动元件电性连接。发光层设置于阳极上。阴极设置于发光层上。
-
公开(公告)号：CN118248084A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410577963.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种发光信号产生电路及显示装置。发光信号产生电路包括第一信号产生电路、第二信号产生电路、RS栓锁电路以及输出选择电路。第一信号产生电路提供第一发光时序信号。第二信号产生电路提供第二发光时序信号。RS栓锁电路基于第一发光时序信号及第二发光时序信号产生发光调变信号，其中发光调变信号的脉波宽度相关于第一发光时序信号及第二发光时序信号的相位差。输出选择电路基于电压开关信号提供第一发光时序信号或发光调变信号至显示模块作为发光信号。
-
公开(公告)号：CN104078492A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410319829.8
申请日：2014-07-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L33/387 , H01L2227/323
Abstract: 一种像素结构，包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案，其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一、二导电层及半导体层，保护层具有第一至三开口，第一开口暴露出第一源极及第一源极区，第二开口暴露出第一漏极及第一漏极区，第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上，第一电极层还填入第一至三开口中，以使第一源极与第一源极区电连接，使第一漏极与第一漏极区电连接，使第一栅极与扫描线电连接。
-
公开(公告)号：CN103441137A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310247067.0
申请日：2013-06-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/15 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1259
Abstract: 本发明提供一种电激发光显示面板及其制造方法。电激发光显示面板包括第一多层结构层、第二多层结构层、保护层以及第三图案化导电层。第一多层结构层包括依序堆栈的第一图案化导电层、第一图案化绝缘层以及氧化物半导体层，且第一图案化导电层、第一图案化绝缘层与氧化物半导体层实质上具有相同的形状。第二多层结构层包括第二图案化导电层。保护层具有多个接触洞，其中部分接触洞暴露出部分氧化物半导体层的顶面与侧面，以及第一图案化导电层的侧面，且第三图案化导电层经由接触洞与氧化物半导体层以及第一图案化导电层接触。
-
公开(公告)号：CN104064679A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410316916.8
申请日：2014-07-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L33/387 , H01L51/5218 , H01L2251/308
Abstract: 一种像素结构，包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上且包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层及第二导电层，保护层具有第一开口、第二开口及第三开口。第一开口暴露出第一源极及半导体层的第一源极区，第二开口暴露出第一漏极及半导体层的第一漏极区，且第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上且填入第一开口、第二开口及第三开口中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103227177A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210564587.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/0629 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种像素结构，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一储存电容。第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的栅极连接，且第二薄膜晶体管的半导体层突出于其栅极的两相对侧。本发明另提供一种薄膜晶体管，包括一栅极、一电容补偿结构、一半导体层、一介电层、一漏极以及一源极。电容补偿结构电性连接至栅极，且半导体层覆盖部分栅极并延伸重叠于电容补偿结构。
-
公开(公告)号：CN110233168B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910531102.9
申请日：2019-06-19
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H10K59/12 , H10K50/844
Abstract: 一种有机发光显示器，其包括基板、主动元件阵列层、有机钝化层、像素定义层、第一电极层、发光图案层以及第二电极层。主动元件阵列层设置于基板上，其中主动元件阵列层包括多个无机材料层。有机钝化层位于主动元件阵列层上。第一电极层位于有机钝化层上且贯穿有机钝化层而连接到主动元件阵列层。像素定义层位于第一电极层上且具有至少一子像素开口。发光图案层位于子像素开口中且接触第一电极层。第二电极层为无机材料，第二电极层覆盖发光图案层与像素定义层，其中第二电极层贯穿像素定义层以接触第一电极层，并且沿着像素定义层的外侧缘向下延伸并贯穿有机钝化层以接触主动元件阵列层中的至少一个无机材料层。
-
公开(公告)号：CN109166902A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811033071.6
申请日：2018-09-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种有机发光显示器，包括基板、主动元件阵列层、有机钝化层、像素定义层、第一电极层、发光图案层以及第二电极层。主动元件阵列层设置于基板上，主动元件阵列层包括多个无机材料层。有机钝化层位于主动元件阵列层上。第一电极层位于有机钝化层上且贯穿有机钝化层而连接到主动元件阵列层。像素定义层位于第一电极层上且具有至少一子像素开口。发光图案层位于子像素开口中且接触第一电极层。第二电极层为无机材料，覆盖发光图案层与像素定义层，其中第二电极层贯穿像素定义层以接触第一电极层，并且沿着像素定义层的外侧缘向下延伸并贯穿有机钝化层以接触主动元件阵列层的此多个无机材料层中至少一者。本发明可降低水气或氧气侵入元件内的机率。
-
公开(公告)号：CN104701266B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201510151202.0
申请日：2015-04-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种像素结构及其制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一电极层以及第一绝缘层、在第一绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成栅绝缘图案层以及依序形成第一导电层、第二绝缘层以及第二导电层，半导体层包括第一半导体图案以及第二半导体图案，第一导电层包括扫描线、第一栅极、第二栅极以及第一电容电极，第二绝缘层具有第一开口、第二开口第三开口以及第四开口。第二导电层包括第二电容电极、数据线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第二电容电极、第一电容电极以及第一电极层重叠设置以构成一储存电容器。
-
公开(公告)号：CN104078492B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410319829.8
申请日：2014-07-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L33/387 , H01L2227/323
Abstract: 一种像素结构，包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案，其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一、二导电层及半导体层，保护层具有第一至三开口，第一开口暴露出第一源极及第一源极区，第二开口暴露出第一漏极及第一漏极区，第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上，第一电极层还填入第一至三开口中，以使第一源极与第一源极区电连接，使第一漏极与第一漏极区电连接，使第一栅极与扫描线电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.023 seconds)
