像素结构及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104701266B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201510151202.0

    申请日:2015-04-01

    Abstract: 本发明提供一种像素结构及其制造方法,所述制造方法包括在基板上形成第一电极层以及第一绝缘层、在第一绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成栅绝缘图案层以及依序形成第一导电层、第二绝缘层以及第二导电层,半导体层包括第一半导体图案以及第二半导体图案,第一导电层包括扫描线、第一栅极、第二栅极以及第一电容电极,第二绝缘层具有第一开口、第二开口第三开口以及第四开口。第二导电层包括第二电容电极、数据线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第二电容电极、第一电容电极以及第一电极层重叠设置以构成一储存电容器。

    像素结构
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104078492B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410319829.8

    申请日:2014-07-07

    Inventor: 林奕呈 陈钰琪

    Abstract: 一种像素结构,包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案,其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一、二导电层及半导体层,保护层具有第一至三开口,第一开口暴露出第一源极及第一源极区,第二开口暴露出第一漏极及第一漏极区,第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上,第一电极层还填入第一至三开口中,以使第一源极与第一源极区电连接,使第一漏极与第一漏极区电连接,使第一栅极与扫描线电连接。

    像素结构
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104064679B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201410316916.8

    申请日:2014-07-04

    Inventor: 林奕呈 陈钰琪

    Abstract: 一种像素结构,包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上且包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。下电极与上电极重叠以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层及第二导电层,保护层具有第一开口、第二开口及第三开口。第一开口暴露出第一源极及半导体层的第一源极区,第二开口暴露出第一漏极及半导体层的第一漏极区,且第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上且填入第一开口、第二开口及第三开口中。

    主动元件基板与应用其的显示面板

    公开(公告)号:CN103257489B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201310151569.3

    申请日:2013-04-27

    Abstract: 一种主动元件基板及应用其的显示面板。主动元件基板包含基材、像素单元、扫描线与数据线。像素单元配置于基材上,且包含至少一主动元件、至少一连接图案、第一绝缘层与至少一像素电极。连接图案电性连接主动元件。第一绝缘层覆盖主动元件,且具有至少一贯穿孔,贯穿孔暴露出连接图案。像素电极包含主干电极、多个分支电极与连接电极。主干电极位于第一绝缘层上,且具有高度转折部、主干部与低陷部。高度转折部位于主干部与贯穿孔之间。低陷部毗邻高度转折部靠近贯穿孔的一侧,其中主干部至基材的垂直高度大于低陷部至基材的垂直高度。分支电极位于第一绝缘层上,且连接主干部以形成至少二个配向区域。连接电极经由贯穿孔与连接图案电性连接。

    一种像素电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104392691A

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201410699840.1

    申请日:2014-11-26

    Abstract: 本发明提供了一种像素电路,包括六个开关管、两个电容以及两个有机发光二极管。其中,第二开关管的第二端电性耦接至第一有机发光二极管。第五开关管的第二端电性耦接至第二有机发光二极管,第一有机发光二极管和第二有机发光二极管分别构成彼此独立的一第一发光区和一第二发光区,每一发光区具有发光或感测电流的功能。相比于现有技术,本发明利用一发光区来发光以修正该像素显示的亮度色度,并利用另一发光区来检测流经有机发光二极管的电流,实现了电流即时检测与维持像素显示亮度色度正确的功效。如此一来,本发明既可得到最佳的外部补偿效果,又能够使画面品质不会劣化。

    像素结构
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104064679A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410316916.8

    申请日:2014-07-04

    Inventor: 林奕呈 陈钰琪

    Abstract: 一种像素结构,包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上且包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层及第二导电层,保护层具有第一开口、第二开口及第三开口。第一开口暴露出第一源极及半导体层的第一源极区,第二开口暴露出第一漏极及半导体层的第一漏极区,且第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上且填入第一开口、第二开口及第三开口中。

    主动元件基板与应用其的显示面板

    公开(公告)号:CN103257489A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310151569.3

    申请日:2013-04-27

    Abstract: 一种主动元件基板及应用其的显示面板。主动元件基板包含基材、像素单元、扫描线与数据线。像素单元配置于基材上,且包含至少一主动元件、至少一连接图案、第一绝缘层与至少一像素电极。连接图案电性连接主动元件。第一绝缘层覆盖主动元件,且具有至少一贯穿孔,贯穿孔暴露出连接图案。像素电极包含主干电极、多个分支电极与连接电极。主干电极位于第一绝缘层上,且具有高度转折部、主干部与低陷部。高度转折部位于主干部与贯穿孔之间。低陷部毗邻高度转折部靠近贯穿孔的一侧,其中主干部至基材的垂直高度大于低陷部至基材的垂直高度。分支电极位于第一绝缘层上,且连接主干部以形成至少二个配向区域。连接电极经由贯穿孔与连接图案电性连接。

    像素结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104078492A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410319829.8

    申请日:2014-07-07

    Inventor: 林奕呈 陈钰琪

    Abstract: 一种像素结构,包括半导体层、绝缘层、第一、二导电层、保护层及第一电极层。半导体层包括第一半导体图案,其具有第一通道区、第一源极区及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第一导电层位于绝缘层上且包括第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。第二导电层位于第一导电层上方且包括扫描线。保护层覆盖第一、二导电层及半导体层,保护层具有第一至三开口,第一开口暴露出第一源极及第一源极区,第二开口暴露出第一漏极及第一漏极区,第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上,第一电极层还填入第一至三开口中,以使第一源极与第一源极区电连接,使第一漏极与第一漏极区电连接,使第一栅极与扫描线电连接。

Patent Agency Ranking