基板定位装置及具有基板定位装置的机台

    公开(公告)号:CN101005041A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200710004090.1

    申请日:2007-01-23

    Abstract: 本发明涉及一种基板定位装置及具有基板定位装置的机台,其中基板定位装置安装于机台上以使基板固定于机台上,基板定位装置包含:固定座,包含轴孔;锁固元件,位于轴孔内,用以将固定座锁固于机台上;引导座,包含:套接孔,用以套接固定座;以及引导部,用以导正基板在机台上的位置,并支撑基板;以及顶帽,包含:轴杆,嵌插于轴孔内;以及抵持部,位于轴杆的一端,用以抵持引导座,以将引导座固定于机台上。本发明的优点在于:可以在更换引导座时不需重新调校位置,缩短了更换时间并提高了更换效率,从而可以降低成本。

    显示装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110164934A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910445293.7

    申请日:2019-05-27

    Abstract: 本发明公开一种显示装置,包括第一基板、像素结构、第二基板以及滤光图案层。像素结构设置于第一基板上。像素结构包括主动元件、第一电极、堤岸层及发光层。第二基板与第一基板对向设置。滤光图案层配置于第二基板上且具有第一滤光部、第二滤光部与第三滤光部。第二滤光部位于第一滤光部与第三滤光部之间。第一滤光部的光穿透率不同于第二滤光部与第三滤光部的光穿透率。第一滤光部与第二滤光部于第一基板上的垂直投影位于像素开口区之内。第三滤光部于第一基板上的垂直投影位于相邻像素开口区之间。第一滤光部与第三滤光部各自于第一基板的垂直投影之间的距离不为0。本发明的显示装置,性能佳。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN115101543B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202210835537.4

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法,其中该半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者。金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的第一结晶区以及位于第二掺杂区中的第二结晶区。第一结晶区与第二结晶区的结晶度大于沟道区的结晶度。源极以及漏极分别电连接第一结晶区与第二结晶区。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN115101543A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210835537.4

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法,其中该半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者。金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的第一结晶区以及位于第二掺杂区中的第二结晶区。第一结晶区与第二结晶区的结晶度大于沟道区的结晶度。源极以及漏极分别电连接第一结晶区与第二结晶区。

    显示面板
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110112198B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201910419229.1

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 一种显示面板,包括基板、设置于基板上的主动组件层、设置于主动组件层上的绝缘层、设置于绝缘层上的第一电极、有机发光膜以及设置于有机发光膜上的第二电极。绝缘层具有沟槽。第一电极与主动组件层电性连接。有机发光膜具有第一厚度T1与第二厚度T2。有机发光膜于第一电极上的厚度为第二厚度T2,且有机发光膜于绝缘层的沟槽中的厚度为第一厚度T1。T1大于T2。

    透明显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN109037236B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810818428.5

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 一种透明显示面板及其制造方法,该透明显示面板包括以下元件。主动层位于基底上。闸绝缘层位于主动层上。栅极位于闸绝缘层上。第一层间绝缘层位于栅极与闸绝缘层上。第二层间绝缘层位于第一层间绝缘层上。辅助结构位于第二层间绝缘层上并定义透明区。源极与漏极位于第二层间绝缘层上且分别电性连接至主动层。第三层间绝缘层位于源极与漏极上。第四层间绝缘层位于第三层间绝缘层上,并于透明区中与第一层间绝缘层接触。电致发光元件位于第四层间绝缘层上。

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