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公开(公告)号：CN100502049C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510091009.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管，包括基板、第一栅极、非晶硅通道层、源极及漏极，以及第二栅极。第一栅极形成于基板上，非晶硅通道层形成于第一栅极之上。源极及漏极以对应于第一栅极的两端的方式形成于非晶硅通道层上，并对应地与非晶硅通道层的两端接触。第二栅极以对应于第一栅极的方式形成于源极及漏极上，并与第一栅极电连接，第二栅极的边缘与源极及漏极的边缘部分重叠。非晶硅通道层位于第一栅极之内。
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公开(公告)号：CN101127194A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710161944.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: Y02B20/346
Abstract: 本发明关于一种主动式有机发光二极管显示器，其包括一像素阵列，具有复数个像素，其中每一个像素包括发光装置、驱动装置及选择单元。发光装置包含第一有机发光二极管、第二有机发光二极管及第三有机发光二极管，其中所述的等有机发光二极管以层迭方式形成于所述的像素中。驱动装置耦接电压源，接收致能信号并根据显示数据以驱动发光装置。选择单元，根据一控制信号用以选择并导通对应的有机发光二极管。本发明可使得像素的开口率大幅提升，且可避免产生色偏的情形。
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公开(公告)号：CN101086566A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710137674.6
申请日：2007-07-31
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 陈纪文
Abstract: 本发明公开一种显示面板、光电装置及其驱动方法、制造方法，该面板包含一第一基板，其包含一主动区域与至少一周边区域，该主动区域具有多个像素，各像素包含至少一与信号线电性连接的切换元件；一第二基板，对应、重迭于该第一基板的该主动区域且暴露出该周边区域，包含一共享电极；一介电系数层，设置于该第一基板与该第二基板间；至少一第一光感测元件，设置于该第一基板的该周边区域上且包含一半导体切换元件；至少一第二光感测元件，设置于该第一基板上且包含一半导体切换元件；一光感测电路，电性连接于该第一光感测元件及该第二光感测元件。光感测元件用以检测外界环境光中的可见光波段的数值及全光波段的数值，以获得非可见光波段的数值。
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公开(公告)号：CN100495485C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610006057.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种有机发光二极管显示器包括一有机发光二极管显示面板和一驱动电路。有机发光二极管显示面板至少具有一第一像素阵列和一第二像素阵列。第一像素阵列具有多个第一像素，第二像素具有多个第二像素。其中，此二像素阵列具有不同的分辨率。驱动电路用以驱动第一像素阵列与第二像素阵列显示影像，并提供第一电压与第二电压。
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公开(公告)号：CN100462780C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710137674.6
申请日：2007-07-31
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 陈纪文
Abstract: 本发明公开一种显示面板、光电装置及其驱动方法、制造方法，该面板包含一第一基板，其包含一主动区域与至少一周边区域，该主动区域具有多个像素，各像素包含至少一与信号线电性连接的切换元件；一第二基板，对应、重迭于该第一基板的该主动区域且暴露出该周边区域，包含一共享电极；一介电系数层，设置于该第一基板与该第二基板间；至少一第一光感测元件，设置于该第一基板的该周边区域上且包含一半导体切换元件；至少一第二光感测元件，设置于该第一基板上且包含一半导体切换元件；一光感测电路，电性连接于该第一光感测元件及该第二光感测元件。光感测元件用以检测外界环境光中的可见光波段的数值及全光波段的数值，以获得非可见光波段的数值。
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公开(公告)号：CN100433087C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610007118.2
申请日：2006-02-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种平面显示器的像素单元，包括至少一非易失性内存、至少一扫描线、至少一数据线及至少一储存电容。该扫描线电性连接至该非易失性内存的栅极。该数据线电性连接至该非易失性内存的源极。该储存电容电性连接至该非易失性内存的漏极。上述像素单元的驱动方法包括：提供一扫描电压及一数据电压以改变该非易失性内存的起始电压，进而重新定义该储存电容的储存电位。
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公开(公告)号：CN100403498C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510092368.6
申请日：2005-08-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：(a)形成栅极于基板上；(b)形成栅极绝缘层覆盖栅极；(c)形成多晶硅层于栅极绝缘层上；(d)形成蚀刻停止层于多晶硅层上且对应栅极；(e)形成重掺杂多晶硅层于蚀刻停止层以及多晶硅层上并暴露蚀刻停止层的部分区域；以及(f)形成源极以及漏极于重掺杂多晶硅层上并对应于栅极的两侧。
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公开(公告)号：CN101145587A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710181799.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光电感应元件，其包含一本质层、第一离子掺杂区、第二离子掺杂区、一氧化绝缘层以及一栅极金属。第二离子掺杂区相对于第一离子掺杂区设置于本质层的另一侧，其可为P型或N型离子。本质层还包含第一光感测区，该第一光感测区设置于和第一离子掺杂区相邻，用来于一光线照射时，依据该光线的强度产生电子空穴对。
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