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公开(公告)号：CN100502049C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510091009.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管，包括基板、第一栅极、非晶硅通道层、源极及漏极，以及第二栅极。第一栅极形成于基板上，非晶硅通道层形成于第一栅极之上。源极及漏极以对应于第一栅极的两端的方式形成于非晶硅通道层上，并对应地与非晶硅通道层的两端接触。第二栅极以对应于第一栅极的方式形成于源极及漏极上，并与第一栅极电连接，第二栅极的边缘与源极及漏极的边缘部分重叠。非晶硅通道层位于第一栅极之内。
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公开(公告)号：CN1851796A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610084817.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 彭仁杰
Abstract: 一有机电激发光显示器的驱动方法包括写入一数据讯号于一电容中、使该电容充电而点亮一有机发光二极管与充电该电容至一预备充电状态。写入数据讯号于电容中时，电容的一第一端点的电位为数据讯号的电位，而电容的一第二端点的电位为一第一参考电位。点亮一有机发光二极管时，耦接电容的一第二端点至一电源端。充电该电容至一预备充电状态时，电容的第一端点的电位为一第二参考电位。
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公开(公告)号：CN100433368C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510108838.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括一栅极，形成于一基板上；一栅极绝缘层，覆盖栅极；一非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；一掺杂非晶硅区，形成于非晶硅区上；一源极金属区和一漏极金属区，电隔绝地形成于掺杂非晶硅区上并位于栅极上方，且源极金属区和漏极金属区与非晶硅区分离；一数据线金属区，和源极金属区相隔一间距并形成于栅极绝缘层上方；一保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区，保护层具有第一、第二和第三介层洞，以分别暴露漏极金属区、源极金属区和数据线金属区的部分表面；和一导电层，形成于保护层上并覆盖第一、第二和第三介层洞，以电连接数据线金属区和源极金属区。
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公开(公告)号：CN101127360A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710154772.0
申请日：2005-10-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光二极管的控制电路，其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管的第一源极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压，第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度。
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公开(公告)号：CN1770475A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510108838.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括一栅极，形成于一基板上；一栅极绝缘层，覆盖栅极；一非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；一掺杂非晶硅区，形成于非晶硅区上；一源极金属区和一漏极金属区，电隔绝地形成于掺杂非晶硅区上并位于栅极上方，且源极金属区和漏极金属区与非晶硅区分离；一数据线金属区，和源极金属区相隔一间距并形成于栅极绝缘层上方；一保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区，保护层具有第一、第二和第三介层洞，以分别暴露漏极金属区、源极金属区和数据线金属区的部分表面；和一导电层，形成于保护层上并覆盖第一、第二和第三介层洞，以电连接数据线金属区和源极金属区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1731571A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510092368.6
申请日：2005-08-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：(a)形成栅极于基板上；(b)形成栅极绝缘层覆盖栅极；(c)形成多晶硅层于栅极绝缘层上；(d)形成蚀刻停止层于多晶硅层上且对应栅极；(e)形成重掺杂多晶硅层于蚀刻停止层以及多晶硅层上并暴露蚀刻停止层的部分区域；以及(f)形成源极以及漏极于重掺杂多晶硅层上并对应于栅极的两侧。
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公开(公告)号：CN100412935C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610084817.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 彭仁杰
Abstract: 一有机电致发光显示器的驱动方法包括写入一数据讯号于一电容中、使该电容充电而点亮一有机发光二极管与充电该电容至一预备充电状态。写入数据讯号于电容中时，电容的一第一端点的电位为数据讯号的电位，而电容的一第二端点的电位为一第一参考电位。点亮一有机发光二极管时，耦接电容的一第二端点至一电源端。充电该电容至一预备充电状态时，电容的第一端点的电位为一第二参考电位。
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公开(公告)号：CN100342525C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510118411.1
申请日：2005-10-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光二极管的控制电路，其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管的第一源极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压，第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度或材料异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度或材料。
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公开(公告)号：CN100517735C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710154772.0
申请日：2005-10-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光二极管的控制电路，其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管的第一源极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压，第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度。
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公开(公告)号：CN100403498C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510092368.6
申请日：2005-08-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：(a)形成栅极于基板上；(b)形成栅极绝缘层覆盖栅极；(c)形成多晶硅层于栅极绝缘层上；(d)形成蚀刻停止层于多晶硅层上且对应栅极；(e)形成重掺杂多晶硅层于蚀刻停止层以及多晶硅层上并暴露蚀刻停止层的部分区域；以及(f)形成源极以及漏极于重掺杂多晶硅层上并对应于栅极的两侧。
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