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公开(公告)号：CN104183664A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410445197.X
申请日：2014-09-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/022408
Abstract: 光检测器及其操作方法，该光检测器包含基板、底栅极电极、第一绝缘层、有源层、电极层、第二绝缘层以及顶栅极电极。底栅极电极设置于基板上。第一绝缘层设置于基板以及底栅极电极上。有源层设置于第一绝缘层上，且有源层具有一能隙。电极层设置于有源层上。电极层包含源极电极、漏极电极以及开口。第二绝缘层设置于该电极层上。顶栅极电极设置于第二绝缘层上。本发明通过有源层的材料能隙定义预定检测范围的波长，使得范围外的波长光线不会成为噪声而使检测失真。通过不同的顶栅极电极以及底栅极电极的偏压组合，以定义出所需要的光灵敏度。还可以通过设定漏极电极的偏压，以调整漏极电极的初始电流，以进行更深入的光灵敏度调控。
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公开(公告)号：CN100342552C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410011588.7
申请日：2004-12-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明主要是提供一种薄膜晶体管，其包括有一半导体层、一下重掺杂半导体层与一上重掺杂半导体层构成的内岛状结构。其中下重掺杂半导体层设于半导体层的沟道区域外的相对两侧的上表面，而上重掺杂半导体层设于下重掺杂半导体层上且包覆下重掺杂半导体层相对于沟道区域外的两侧壁与半导体层相对两侧的侧壁，由此源极电极与漏极电极未与半导体层直接相连。
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公开(公告)号：CN101013725A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610168651.7
申请日：2006-12-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供了一种像素结构，包括双栅极晶体管、电容及电性连接于双栅极晶体管的信号线。其中，信号线包含扫描线与数据线。双栅极晶体管，包括第一栅极，形成于基板上。第一介电层，覆盖于第一栅极与基板上。半导体层，位于第一介电层与第一栅极上方。第一电极与第二电极，分别形成于半导体层上，且第一电极与第二电极之间具有间隔，用以分离两电极。第二介电层，覆盖于第一电极、第二电极与部份的半导体层。第二栅极，位于第二介电层上，其中第二栅极及第一栅极的其中之一者并未与第二电极重迭。
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公开(公告)号：CN1885563A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610105606.7
申请日：2006-07-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种双栅极晶体管，包括第一栅极，形成于基板上。第一介电层，覆盖于第一栅极与基板上。半导体层，位于第一介电层与第一栅极上方。第一电极与第二电极，分别形成于半导体层上，且第一电极与第二电极之间，具有间隔，用以分离两电极。第二介电层，覆盖于第一电极、第二电极与部份的半导体层。第二栅极，位于第二介电层上，其中第二栅极及第一栅极的其中之一并未与第二电极重叠。
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公开(公告)号：CN1808536A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610007118.2
申请日：2006-02-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种平面显示器的像素单元，包括至少一非易失性内存、至少一扫描线、至少一数据线及至少一储存电容。该扫描线电性连接至该非易失性内存的栅极。该数据线电性连接至该非易失性内存的源极。该储存电容电性连接至该非易失性内存的漏极。上述像素单元的驱动方法包括：提供一扫描电压及一数据电压以改变该非易失性内存的起始电压，进而重新定义该储存电容的储存电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428421B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610003308.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其操作方法，该薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中通道层位于底栅极与顶栅极之间，其中底栅极与顶栅极电性分离。
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公开(公告)号：CN100449715C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610006016.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一蚀刻中止层、一欧姆接触层、一源极及一漏极。栅极设置于一基板上。绝缘层设置于基板之上，并覆盖栅极。沟道层设置于部分的绝缘层上，并对应于栅极，且沟道层的宽度小于或等于栅极的宽度。蚀刻中止层设置于部分的沟道层上，并对应于栅极，且蚀刻中止层的宽度小于沟道层的宽度。欧姆接触层设置于部分的绝缘层上，并覆盖蚀刻中止层的二端及沟道层的二端。源极及漏极设置于欧姆接触层上，用以对应地透过欧姆接触层与沟道层的此二端电连接。
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公开(公告)号：CN105428421A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610003308.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L29/78696 , H03K17/687 , H03K2017/6878 , H01L29/786 , H01L29/4232 , H01L29/42384
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其操作方法，该薄膜晶体管包括基板、底栅极、通道层、源极与漏极以及顶栅极。底栅极配置于基板上。通道层位于底栅极上。源极与漏极位于通道层的两侧上。顶栅极位于通道层与源极与漏极上，其中通道层位于底栅极与顶栅极之间，其中底栅极与顶栅极电性分离。
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公开(公告)号：CN100433087C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610007118.2
申请日：2006-02-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种平面显示器的像素单元，包括至少一非易失性内存、至少一扫描线、至少一数据线及至少一储存电容。该扫描线电性连接至该非易失性内存的栅极。该数据线电性连接至该非易失性内存的源极。该储存电容电性连接至该非易失性内存的漏极。上述像素单元的驱动方法包括：提供一扫描电压及一数据电压以改变该非易失性内存的起始电压，进而重新定义该储存电容的储存电位。
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公开(公告)号：CN1828850A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006016.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一蚀刻中止层、一欧姆接触层、一源极及一漏极。栅极设置于一基板上。绝缘层设置于基板之上，并覆盖栅极。沟道层设置于部分的绝缘层上，并对应于栅极，且沟道层的宽度小于或等于栅极的宽度。蚀刻中止层设置于部分的沟道层上，并对应于栅极，且蚀刻中止层的宽度小于沟道层的宽度。欧姆接触层设置于部分的绝缘层上，并覆盖蚀刻中止层的二端及沟道层的二端。源极及漏极设置于欧姆接触层上，用以对应地透过欧姆接触层与沟道层的此二端电连接。
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