顶部发光型有机电致发光显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100433352C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN03134672.3

    申请日:2003-09-25

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 本发明是关于一种顶部发光型有机电致发光显示器及其制造方法,该方法是首先提供白光有机发光二极管阵列基板,其中白光有机发光二极管阵列基板的发光型态是为顶部发光型。再提供彩色滤光基板,并在彩色滤光基板上形成吸水材料层,以覆盖部分彩色滤光基板。接着在白光有机发光二极管阵列基板与彩色滤光基板之间形成框胶,以使白光有机发光二极管阵列基板与彩色滤光基板对封起来,并使吸水材料层被封于白光有机发光二极管阵列基板与彩色滤光基板之间。其所配置的吸水材料层不会阻挡到发光区域,可避免造成发光面积缩减的困扰;另可使顶部发光型的白光有机电致发光显示器中的吸水材料层不会阻挡到显示器的发光区域,从而更加适于实用,且更具有产业利用价值。

    有机发光元件的制造方法及其结构

    公开(公告)号:CN100372145C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN03155769.4

    申请日:2003-09-01

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 本发明提供一种有机发光元件的制造方法,首先形成一平坦层于一基底上,以覆盖一薄膜晶体管。然后,于该平坦层中形成一第二接触孔以及一凹槽,其中该第二接触孔露出该薄膜晶体管的源或漏极电极层,该凹槽位于该接触孔上方且对应于一预定阳极层的图案。接着,形成一阳极层于该平坦层上,以填满该接触孔以及该凹槽,再将该凹槽之外的该阳极层去除。最后,进行一平坦化处理,以使该阳极层与该平坦层的表面高度平齐。

    可提供均匀亮度的有机发光二极管显示面板

    公开(公告)号:CN1584956B

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN200410049266.1

    申请日:2004-06-07

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管显示面板,其包含有一基板,一像素矩阵设于基板上,多条扫描线设于基板表面,用来传递一驱动信号至像素矩阵,以及多条导线用来连接上述扫描线至至少一电源装置,以将电源装置提供的驱动信号传递至各扫描线,且这些导线随着距离电源装置的远近不同而具有不同大小的截面积。

    有源有机电致发光显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100369290C

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200310113202.9

    申请日:2003-11-05

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 本发明公开了一种有源有机电致发光显示器的制造方法,此方法首先在基板上形成薄膜晶体管阵列,此薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管、多条扫瞄配线以及多条数据配线。接着在基板上方形成保护层,覆盖住薄膜晶体管阵列,再在保护层中形成接触窗开口,以暴露出薄膜晶体管阵列的特定区域。然后在保护层上形成阳极层并填入接触窗开口,再在阳极层上形成支撑层,覆盖住接触窗开口处。之后在支撑层上放置掩模,并进行镀膜工艺,以在阳极层上形成有机发光层。接着移开掩模,并在有机发光层上形成阴极层,以形成有源有机电致发光显示器。

    用于平面显示装置的薄膜晶体管结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN100459157C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200410057924.1

    申请日:2004-08-26

    Abstract: 本发明揭示一种在具有一驱动电路区及一像素区的基板上形成不同电特性薄膜晶体管的方法。在基板的驱动电路区及像素区上方分别形成第一及第二多晶硅图案层。在第一多晶硅图案层上方覆盖一掩模层,并利用其作为注入掩模来对第二多晶硅图案层进行一第一离子注入程序,使第一多晶硅图案层的杂质浓度不同于第二多晶硅图案层。在去除掩模层之后,分别在第一及第二多晶硅图案层上方依序形成一栅极介电层及一栅极电极,且在其中形成一源极/漏极区并定义出一通道区。

    有机发光二极管结构
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100426548C

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN03143058.9

    申请日:2003-06-18

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管结构,该有机发光二极管包含一透明导电层,其设置于一衬底的上表面,该透明导电层的下表面的宽度大于该透明导电层的上表面的宽度;一有机薄膜,其设置于该透明导电层之上,且该有机薄膜覆盖住该透明导电层;以及一金属层,其设置于该有机薄膜之上。

    低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管

    公开(公告)号:CN1259693C

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN03122982.4

    申请日:2003-04-23

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 一种低温多晶硅薄膜的制造方法,其方法首先在基板上形成一层非晶硅层,接着,对非晶硅层进行回火制程,使得非晶硅层转变成多晶硅层(多晶硅薄膜),其中在回火的过程中,在多晶硅层的表面会形成数个突起物。接着,对多晶硅层进行表面处理步骤,然后再对多晶硅层进行另一次的回火制程。利用本发明的方法所形成的多晶硅层其表面的突起物的尺寸明显变小,所以可以解决现有技术中突起物过大且大小不一致的问题。

    降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法

    公开(公告)号:CN1261987C

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN02148735.9

    申请日:2002-11-15

    Inventor: 陈韵升

    Abstract: 一种降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法,它至少包含形成一导电薄膜于基板的上表面;及施加一偏压于导电薄膜,并同时对导电薄膜进行干式蚀刻,用以平坦化导电薄膜表面;导电薄膜的粗糙尖端因尖端放电效应,产生较大的电场,而得到较高的蚀刻率,有效平坦化导电薄膜表面。

Patent Agency Ranking