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公开(公告)号：CN114324459B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN112408952B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN114324459A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN112408952A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN119470506A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411634640.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: G01N23/20008
Abstract: 本申请公开了一种用于XRD测试微区相成分的制样方法，属于XRD相成分检测技术领域。通过在待测样品的待测面覆盖选定的覆盖物，而后将待测样品的待测区域处的覆盖物刻蚀后仅暴露出待测样品的待测区域。这样，在采用X射线衍射仪对待测区域的相成分进行测试时，待测区域以外的待测面无衍射峰或与待测区域衍射峰不完全重叠，就可获得微米级待测区域的衍射峰图谱。本发明的方法使得微米级待测区域的相成分的XRD检测可以不受测量方式或仪器硬件条件的限制。
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公开(公告)号：CN119092169A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411198236.0
申请日：2024-08-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: G21F1/08 , G21B1/13 , C22C27/04 , B22F1/12 , B22F3/10 , B22F3/18 , B22F3/17 , B22F3/24 , B22F3/04
Abstract: 本发明公开了钨基合金材质的屏蔽件、制备方法及应用,所述钨基合金包括钨基体和分散在钨基体中的六硼化镧，所述钨基合金中硼元素的含量为0.01wt％‑0.5wt％。本发明中的钨基合金中引入六硼化镧，有利于钨基合金中钨晶粒的细化，增强钨基合金的韧性，降低韧脆转变温度，提高其对中子辐照的吸收能力；同时，六硼化镧的引入不仅不会降低钨基体的导热性能，反而有助于材料导热性能的提升，这些都有利于提高屏蔽件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115971491B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211644382.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将钨压制坯、铜材与熔渗桥搭接摆放，所述钨压制坯和所述铜材间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压制坯、铜材搭接；所述熔渗桥的熔点高于所述铜材；所述钨压制坯的钨含量为50wt％以上；熔渗处理所述搭接摆放的钨压制坯、铜材与熔渗桥；冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料。本发明提供的制备方法改善了钨骨架中铜熔渗率不足的缺陷，制备得到的钨铜材料具有均匀、高密度的优点；适用于航空航天、国防军工、电子信息、冶金以及机械加工等领域对钨铜材料的要求。
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公开(公告)号：CN117303931A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311343917.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用，所述过渡层粉体的制备原料由钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝组成；以质量百分比计，所述过渡层粉体的制备原料中钨的质量百分比为75wt％以上；所述钨与氧化锰的质量比为8:1至20:1本发明提供的过渡层粉体的制备原料使用钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝，并控制钨与氧化锰的比例，使其在应用时能够在高纯氧化铝陶瓷基底上形成具有微小孔隙的钨骨架结构的过渡层，便于铜基钎料熔化进入过渡层的钨骨架孔隙形成钨铜熔渗效果，且具有润湿钨材料的效果，从而提升了纯度99wt％以上的高纯氧化铝陶瓷基底与钨材料之间的连接强度。
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公开(公告)号：CN115971491A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211644382.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将钨压制坯、铜材与熔渗桥搭接摆放，所述钨压制坯和所述铜材间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压制坯、铜材搭接；所述熔渗桥的熔点高于所述铜材；所述钨压制坯的钨含量为50wt％以上；熔渗处理所述搭接摆放的钨压制坯、铜材与熔渗桥；冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料。本发明提供的制备方法改善了钨骨架中铜熔渗率不足的缺陷，制备得到的钨铜材料具有均匀、高密度的优点；适用于航空航天、国防军工、电子信息、冶金以及机械加工等领域对钨铜材料的要求。
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公开(公告)号：CN119588930A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411587972.5
申请日：2024-11-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请属于金属粉末制备领域，具体地，提供一种高比表面积钼粉及其制备方法和陶瓷金属化浆料。本申请制备高比表面积钼粉的方法包括：(1)热压处理：将比表面积为A1的钼粉原料置于模具中，在900～1100℃的温度下热压处理5～30分钟，得到热压坯；(2)破碎制粉：将所述热压坯进行破碎制粉处理，得到比表面积为A2的高比面积钼粉，其中，A1＜A2。本申请的制备方法工艺简单，与采用的钼粉原料相比，可有效提高比表面积。
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