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公开(公告)号：CN115971491B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211644382.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将钨压制坯、铜材与熔渗桥搭接摆放，所述钨压制坯和所述铜材间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压制坯、铜材搭接；所述熔渗桥的熔点高于所述铜材；所述钨压制坯的钨含量为50wt％以上；熔渗处理所述搭接摆放的钨压制坯、铜材与熔渗桥；冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料。本发明提供的制备方法改善了钨骨架中铜熔渗率不足的缺陷，制备得到的钨铜材料具有均匀、高密度的优点；适用于航空航天、国防军工、电子信息、冶金以及机械加工等领域对钨铜材料的要求。
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公开(公告)号：CN119588930A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411587972.5
申请日：2024-11-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请属于金属粉末制备领域，具体地，提供一种高比表面积钼粉及其制备方法和陶瓷金属化浆料。本申请制备高比表面积钼粉的方法包括：(1)热压处理：将比表面积为A1的钼粉原料置于模具中，在900～1100℃的温度下热压处理5～30分钟，得到热压坯；(2)破碎制粉：将所述热压坯进行破碎制粉处理，得到比表面积为A2的高比面积钼粉，其中，A1＜A2。本申请的制备方法工艺简单，与采用的钼粉原料相比，可有效提高比表面积。
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公开(公告)号：CN115821187B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202211643911.7
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对搭接摆放的钨压坯、铜镍合金与熔渗桥进行烧结熔渗处理，冷却后分离所述钨压坯与熔渗桥，得到所述钨铜材料；所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，所述热处理的温度为1250℃以下。本发明采用铜镍合金与间接熔渗方式配合，以及至少3次热处理，实现了钨压坯烧结与熔渗的同步进行，且制备温度较低，所得钨铜材料中铜分布均匀，具有较高的密度。
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公开(公告)号：CN117139630A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311345662.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种朗缪尔探针结构及其制备方法，所述朗缪尔探针结构包括沿径向方向，由内向外设置的钨探针、复合陶瓷管与隔热屏；所述复合陶瓷管与钨探针之间，以及复合陶瓷管与隔热屏之间分别独立地设置有铜基钎料层；所述复合陶瓷管包括陶瓷管以及设置于陶瓷管内外表面的过渡层；本发明提供的朗缪尔探针结构为一种钨探针‑铜基钎料层‑过渡层‑陶瓷管‑过渡层‑铜基钎料层‑隔热屏的结构，过渡层粉体中含有75wt％以上的钨成分，在制备过程中形成钨骨架，便于钎料熔渗到钨骨架中形成致密连接，同时具有润湿钨材料的效果。本发明提供的朗缪尔探针具有结构强度高、耐高热负荷能力强的优势。
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公开(公告)号：CN117303931A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311343917.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用，所述过渡层粉体的制备原料由钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝组成；以质量百分比计，所述过渡层粉体的制备原料中钨的质量百分比为75wt％以上；所述钨与氧化锰的质量比为8:1至20:1本发明提供的过渡层粉体的制备原料使用钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝，并控制钨与氧化锰的比例，使其在应用时能够在高纯氧化铝陶瓷基底上形成具有微小孔隙的钨骨架结构的过渡层，便于铜基钎料熔化进入过渡层的钨骨架孔隙形成钨铜熔渗效果，且具有润湿钨材料的效果，从而提升了纯度99wt％以上的高纯氧化铝陶瓷基底与钨材料之间的连接强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115971491A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211644382.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将钨压制坯、铜材与熔渗桥搭接摆放，所述钨压制坯和所述铜材间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压制坯、铜材搭接；所述熔渗桥的熔点高于所述铜材；所述钨压制坯的钨含量为50wt％以上；熔渗处理所述搭接摆放的钨压制坯、铜材与熔渗桥；冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料。本发明提供的制备方法改善了钨骨架中铜熔渗率不足的缺陷，制备得到的钨铜材料具有均匀、高密度的优点；适用于航空航天、国防军工、电子信息、冶金以及机械加工等领域对钨铜材料的要求。
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公开(公告)号：CN119480577A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411542717.9
申请日：2024-10-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01J9/04 , B22F3/14 , C22C27/04 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/00 , B22F1/12 , B22F3/23 , C22C32/00 , H01J1/148 , H01J61/06
Abstract: 本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极及其制备方法和应用。本发明提供一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极的制备方法，包括如下步骤：将钨粉和六硼化镧粉混合得到混合料，将混合料置于内壁涂有碳粉层的模具中，在第一温度下进行第一热压烧结，升温至第二温度进行第二热压烧结，得到所述近净成型六硼化镧掺杂钨阴极；其中，第一温度为1500‑2000℃；第二温度为2200‑2400℃。综上，本发明实现了六硼化镧掺杂钨阴极一次成型，开发了一种高效的、低成本的六硼化镧掺杂钨基阴极材料的制备方法，同时在六硼化镧掺杂钨阴极表面形成疏松片层状的碳化二钨层，有效提高材料的电子发射性能。
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公开(公告)号：CN119392248A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502392.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了在钨电极表面制备碳化二钨涂层的方法及钨电极，涉及钨电极技术领域。本发明分为附碳阶段、固碳阶段和脱碳阶段三个阶段制备碳化层，通过控制三个阶段的操作参数(如电压)等，固碳步骤可以进一步使表面富余的碳进一步反应，既能增加碳化层的厚度，又能更好地保证最终反应产物为碳化二钨，使钨电极表面制备组织结构和相成分均一稳定的碳化层。本发明所制备的碳化层为疏松的片层状组织，相结构为纯碳化二钨，为钨基热阴极材料表面提供发射活性物质迁移通道，促进阴极材料工作室活性物质的扩散补充，提升钨基阴极材料发射性能，同时更好地保障钨基阴极材料长期稳定工作。
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公开(公告)号：CN115821187A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211643911.7
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对搭接摆放的钨压坯、铜镍合金与熔渗桥进行烧结熔渗处理，冷却后分离所述钨压坯与熔渗桥，得到所述钨铜材料；所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，所述热处理的温度为1250℃以下。本发明采用铜镍合金与间接熔渗方式配合，以及至少3次热处理，实现了钨压坯烧结与熔渗的同步进行，且制备温度较低，所得钨铜材料中铜分布均匀，具有较高的密度。
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公开(公告)号：CN220854980U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322703185.X
申请日：2023-10-09
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种探针与导线的连接结构及托卡马克装置，包括探针、第一转接头、第二转接头和导线。探针的非探测端设有第一螺纹部。第一转接头一端设有第二螺纹部，另一端设有第三螺纹部。第二转接头一端设有第四螺纹部。导线的材质和第二转接头的材质具有相同的组成成分，且导线和第二转接头的另一端焊接后结合强度更高。其中，第一螺纹部与第二螺纹部的螺纹方向相同，第二螺纹部与第三螺纹部的螺纹方向相反，第三螺纹部与第四螺纹部的螺纹方向相同。第一转接头单方向转动时，第二螺纹部能够螺接于第一螺纹部，第三螺纹部能够螺接于第四螺纹部。导线保持不转动避免导线卷绕，减少理线的工作量，并且采用螺接结构连接更可靠。
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