公开(公告)号：CN119480577A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411542717.9

申请日：2024-10-31

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 陈阿娇 ,  罗泉祥 ,  柯良金 ,  廖启顺 ,  林宝智 ,  刘春佳

IPC: H01J9/04 ,  B22F3/14 ,  C22C27/04 ,  C22C1/05 ,  C22C1/059 ,  B22F3/00 ,  B22F1/12 ,  B22F3/23 ,  C22C32/00 ,  H01J1/148 ,  H01J61/06

Abstract: 本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极及其制备方法和应用。本发明提供一种近净成型六硼化镧掺杂钨阴极的制备方法，包括如下步骤：将钨粉和六硼化镧粉混合得到混合料，将混合料置于内壁涂有碳粉层的模具中，在第一温度下进行第一热压烧结，升温至第二温度进行第二热压烧结，得到所述近净成型六硼化镧掺杂钨阴极；其中，第一温度为1500‑2000℃；第二温度为2200‑2400℃。综上，本发明实现了六硼化镧掺杂钨阴极一次成型，开发了一种高效的、低成本的六硼化镧掺杂钨基阴极材料的制备方法，同时在六硼化镧掺杂钨阴极表面形成疏松片层状的碳化二钨层，有效提高材料的电子发射性能。

公开(公告)号：CN119392248A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411502392.1

申请日：2024-10-25

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 陈阿娇 ,  罗泉祥 ,  廖启顺 ,  柯良金 ,  刘春佳

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了在钨电极表面制备碳化二钨涂层的方法及钨电极，涉及钨电极技术领域。本发明分为附碳阶段、固碳阶段和脱碳阶段三个阶段制备碳化层，通过控制三个阶段的操作参数(如电压)等，固碳步骤可以进一步使表面富余的碳进一步反应，既能增加碳化层的厚度，又能更好地保证最终反应产物为碳化二钨，使钨电极表面制备组织结构和相成分均一稳定的碳化层。本发明所制备的碳化层为疏松的片层状组织，相结构为纯碳化二钨，为钨基热阴极材料表面提供发射活性物质迁移通道，促进阴极材料工作室活性物质的扩散补充，提升钨基阴极材料发射性能，同时更好地保障钨基阴极材料长期稳定工作。

公开(公告)号：CN119092169A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411198236.0

申请日：2024-08-29

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 柯良金 ,  罗泉祥 ,  林宝智 ,  陈阿娇 ,  刘春佳

IPC: G21F1/08 ,  G21B1/13 ,  C22C27/04 ,  B22F1/12 ,  B22F3/10 ,  B22F3/18 ,  B22F3/17 ,  B22F3/24 ,  B22F3/04

Abstract: 本发明公开了钨基合金材质的屏蔽件、制备方法及应用,所述钨基合金包括钨基体和分散在钨基体中的六硼化镧，所述钨基合金中硼元素的含量为0.01wt％‑0.5wt％。本发明中的钨基合金中引入六硼化镧，有利于钨基合金中钨晶粒的细化，增强钨基合金的韧性，降低韧脆转变温度，提高其对中子辐照的吸收能力；同时，六硼化镧的引入不仅不会降低钨基体的导热性能，反而有助于材料导热性能的提升，这些都有利于提高屏蔽件的使用寿命。