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公开(公告)号：CN205723580U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620411546.0
申请日：2016-05-09
Applicant: 厦门市计量检定测试院 , 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0288
Abstract: 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导，以减少光纤和波导的耦合损耗，入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件，又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge，以提高耦合效率，锗探测器采用PIN结构，在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂，以形成一个垂直的P‑I‑N结。
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公开(公告)号：CN110660654B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910941003.8
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a‑Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN110676158A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910940185.7
申请日：2019-09-30
Abstract: 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a-Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a-Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a-Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。
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公开(公告)号：CN110660655A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910944976.7
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移，实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来，使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解，因此能有效的限制穿透位错的成核，实现穿透位错密度的进一步降低。
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公开(公告)号：CN110660654A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910941003.8
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a-Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847681B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710118093.1
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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公开(公告)号：CN104867814B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510200903.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。
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公开(公告)号：CN106847681A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710118093.1
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/20 , C23C14/165 , C23C14/35 , H01L24/03
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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公开(公告)号：CN103996601A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410245729.5
申请日：2014-06-05
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/18 , H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 一种锗n+/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO2层；在制备好的SiO2/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p-Ge表面SiO2层；将处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n+/p浅结。采用离子注入的方式作为Ge中n型掺杂的杂质来源，结合低温预退火和激光退火激活杂质形成浅结，不受杂质在Ge中固溶度的限制，激活浓度理论可达1020cm-3以上，且激光退火时间短，容易在Ge中形成浅结，在低温预退火过程既可部分修复由离子注入所带来的晶体损伤，又不会导致杂质的扩散，还可压制杂质在激光退火过程中的扩散。
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公开(公告)号：CN103928562A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410183675.4
申请日：2014-05-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1808 , H01L31/105
Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。
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