一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。