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公开(公告)号：CN120035279A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510249949.3
申请日：2025-03-04
IPC: H10H20/01 , H01L21/265
Abstract: 本申请公开了高空穴浓度的高铝组分氮化物离子注入共掺杂方法，涉及半导体器件制备工艺技术领域，包括：制备半导体器件，半导体器件包括高铝组分氮化物层；对高铝组分氮化物层进行离子注入，以形成p型掺杂的高铝组分氮化物层；其中，离子注入将第一杂质原子和第二杂质原子注入高铝组分氮化物层；第一杂质原子用于在高铝组分氮化物层中形成p型掺杂；第二杂质原子至少用于降低第一杂质原子在高铝组分氮化物层中的形成能和激活能。本申请技术方案通过对于杂质原子和第二杂质原子共掺的方式，可以有效降低作为受主原子的第一杂质原子的形成能和激活能，可以提高第一杂质原子在高铝组分氮化物层中的稳定性和激活率，从而可以提高掺杂后的空穴浓度。
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