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公开(公告)号：CN113325044A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110270319.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明属于材料性能测试技术领域，提供了一种介电温谱测试方法。本发明提供的方法在待测对象的温度随时间变化的过程中，持续测量待测对象的介电特性，记录不同温度下的介电频谱，由此获取待测对象的介电温谱。该方法仅需一个温度升高或降低的过程，即可得到薄膜的介电温谱，无需繁琐地在每一个测试温度点下停留一段时间，极大地降低了科研人员的人力成本。由于本发明的方法，薄膜的温度连续、线性地上升或下降，整个过程持续不断，由计算机自动地测量和记录数据，因此，从理论上说，本发明的一个测试的过程所得到的温频参数，即相当于大量的温度点下测量得到的工作频率特性。
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公开(公告)号：CN108566204A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810357330.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明揭示了一种用于精确测量领域的积分周期自适应工频型双积分A/D转换器，本发明对标准型双积分A/D转换器作出了改进。本发明的积分周期自适应工频型更高精度的双积分A/D转换器，其时钟频率/周期不再独立于工频交流电频率/周期，而是自动跟踪工频交流电频率/周期，消除了标准型双积分A/D转换器的工频信号周期与时钟周期不完全成整数比而带来的误差。另外，本发明的用于精确测量领域的积分周期自适应工频型双积分A/D转换器，其时钟频率/周期与工频交流电的电压幅值也无关，提高了应用的方便性。
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公开(公告)号：CN108551345A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810357329.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的D/A转换器包含有：2m个阻值均为R的电阻，地址解码器，以及2m个CMOS传输门，2m个阻值相同的电阻串联成一个串联电阻，该串联电阻中第1个电阻的一端连接至标准参考电压端VREF，地址解码器具有m个数字信号输入端口和2m个输出端口，根据所接收的数字信号进行地址解码，使得2m个输出端口中有且仅有一个端口为高电平，其余输出端口均为低电平，并且输出高电平的输出端口的编号唯一对应于输入的数字信号所对应的数值；地址解码器的各输出端口分别连接至各CMOS传输门的控制端；所有CMOS传输门的信号输出端均并联接至D/A转换器的模拟信号输出端。
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公开(公告)号：CN106409939B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610998201.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流和盲元率、提高探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN113780509B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202110269978.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 南通大学
IPC: G06K19/073 , G11C7/24 , G11C7/10 , G06F21/78 , H04L9/40
Abstract: 本发明提供的特殊的可移动存储器，使得需要保护的内网计算机、特定的计算机中的数据信息，只能被复制出来，而外部的任何计算机的数据，无论是纯粹的无执行功能的数据，还是可执行的代码，任何数据都无法转移至本发明提供的特殊的可移动存储器，因为此时的可移动存储器处于只读状态，这样也就不可能转移到需要保护的内网计算机、特定的计算机中。通过这种特殊设计的单向数据传输的移动存储器及单向数据传输方法，内网计算机、特定的计算机，与外部的任何计算机都是物理隔绝的，无法直接传输数据，可以真正确保内网计算机、特定的计算机的信息安全，又不妨碍内部数据的对外传输，实现了单向数据传输的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116223571A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111458343.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置，包括用于容置矩形衬底的腔体，腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴；第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料；第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度；第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置，避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116148316A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111384311.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
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公开(公告)号：CN111864331B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010640641.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种柔性微波滤波器的制造方法，包括以下步骤：（1）采用计算机进行柔性微波滤波器的仿真设计，得到柔性微波滤波器的理论结构尺寸参数；（2）采用常温湿法工艺将步骤（1）中已完成结构设计的柔性微波滤波器制备出来；（3）将步骤（2）中得到的柔性带通滤波器，进行电学性能测试和/或机械性能测试，若测试结果偏离预计值，则调整参数，返回步骤（1）和/或（2），重新制造柔性微波滤波器；若测试结果符合预计值，则将步骤（1）和（2）中的参数固定下来，进行柔性微波滤波器批量生产。本发明研究柔性微波滤波器的制造工艺参数的效率得到大大提升，仅需完成一个样品的试制，即可得到最佳的工艺参数，极大地降低了科研人员的人力成本。
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公开(公告)号：CN112885994A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110309258.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 南通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/52 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/625 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于锂硫电池正极材料制备技术领域，公开了一种具有核壳结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，制备方法包括：将硒氢化钠溶液注入pH为11～11.2的六水合硝酸锌溶液中，加入碳纳米管水相法制备ZnSe‑CNTs；之后与硫粉经熔融法制备ZnSe‑CNTs/S内核；最后氢氧化镍作为外壳沉积在内核上制备ZnSe‑CNTs/S@Ni(OH)2。本发明正极材料应用于锂硫电池中，能改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了锂硫电池中的穿梭效应问题，提高了锂硫电池电化学性能。
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公开(公告)号：CN106328752A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610998192.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/03046 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。本发明减少了热扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，在保持光敏元响应均匀的同时降低器件的暗电流和盲元率。
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