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公开(公告)号：CN118962978A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411347628.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了基于GaSb的固体浸没式长波红外超透镜结构设计方法，超透镜结构包括在GaSb衬底背部刻蚀出的超透镜阵列，该超透镜阵列用于把入射光聚集到GaSb衬底上制备的红外焦平面的每个像元的吸收层中，超透镜阵列由圆形排列或矩形排列的GaSb圆柱构成，其中不同位置的GaSb圆柱的半径通过本发明特有的方法进行确定。本发明通过合理设计圆柱半径分布及间距，在保持该超透镜较高聚焦效率的同时，降低圆柱的高度，从而降低制备工艺难度。
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公开(公告)号：CN119170726A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411042087.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 南通大学
IPC: H01L33/50 , F21K9/00 , H01L25/075 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及LED健康照明领域，公开了一种LED混合产生类太阳白光的方法及LED灯组。包括：围绕黑体辐射线确定各个LED灯珠的色点，每个LED灯珠独立封装，包括特定峰值波长的LED芯片和各种荧光粉；在黑体辐射线上确定l个目标类太阳白光色点，计算得到l组光通量参数；根据预设目标从所述l组光通量参数选择一组光通量参数，用于控制所述m个LED灯珠形成混光，即类太阳白光。根据多种光源不同强度的组合，本发明解决了现有全光谱白光LED由单一波段激发荧光粉发射白光且色温单一改为多波段LED芯片混合调光，填补了光谱480nm左右波段的凹陷，显色指数更高且混合光谱更加连续，且可以实现沿黑体辐射线的类太阳光调光。
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公开(公告)号：CN112951957B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110299287.2
申请日：2021-03-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为AlxGa1‑xN阱层、AlyGa1‑yN隔离层、和AlxGa1‑xN阱层。通过利用耦合阱层结构设计，增强c面LED的TE/TM模自发辐射复合率，提高LED器件的内量子效率，抑制氮化物LED器件的效率下降效应，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
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公开(公告)号：CN109801844A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910108225.1
申请日：2019-02-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种金属刻槽方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用电感耦合等离子刻蚀机（ICP）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
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公开(公告)号：CN109786241A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910108427.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409939B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610998201.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流和盲元率、提高探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN112951957A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110299287.2
申请日：2021-03-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为AlxGa1‑xN阱层、AlyGa1‑yN隔离层、和AlxGa1‑xN阱层。通过利用耦合阱层结构设计，增强c面LED的TE/TM模自发辐射复合率，提高LED器件的内量子效率，抑制氮化物LED器件的效率下降效应，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
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公开(公告)号：CN109524519B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201811546510.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1‑xN层和InyAl1‑yN层，其中，0.9≥x≥0.4，0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type‑II型能带排列的量子阱结构，提高TE偏振的发光强度，从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN107817363A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711018583.0
申请日：2017-10-26
Applicant: 南通大学 , 南通先进通信技术研究院有限公司
IPC: G01P15/097
CPC classification number: G01P15/0975
Abstract: 本发明公开了一种谐振单相单向换能器型声表面波加速度传感器，其特征在于，包括分别设于悬臂梁上表面中部及末端的两组对加速度信号敏感的振荡器，位于末端的振荡器作为参考，两组振荡器形成差动结构，有利于减小温度和横向加速度的影响；两组振荡器的结构参数完全相同，输出端相连并经过混频器混频，将外部加速度的变化转化为频率的变化输出；两组振荡器均包括一个声表面波延迟线和一个反馈放大器，声表面波延迟线采用具有高斯函数频响的谐振单相单向换能器，其包括输入换能器和输出换能器。本发明具有频响特性好、稳定性高、灵敏度高、线性度好、插入损耗低，且抗噪声干扰能力强的优点，适应于汽车、轮船、火车等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN106328752A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610998192.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/03046 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。本发明减少了热扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，在保持光敏元响应均匀的同时降低器件的暗电流和盲元率。
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