-
公开(公告)号：CN119401984A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411457519.2
申请日：2024-10-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底具有缺陷地结构的微机械阻抗匹配网络调谐器及其制作方法，本发明的调谐器器件采用了SOI作为衬底，能够有效的降低损耗，器件结构依次对称的排在信号线的两侧，一端是信号输入端，另一端是信号输出端；六个高阻偏压垫各自分置于器件的两端，信号线的两侧对称的是两条传输线，在其信号线的上面有两种DGS结构，并且MEMS桥架构于其上，通过导线和信号线并联连接，通过MEMS桥的开关达到电容可变及有效介质的值来实现阻抗的可变；位于信号线的上的两种DGS结构使得结构紧凑，并且能够调节阻抗。
-
公开(公告)号：CN117038811A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311011316.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装结构的表面等离激元耦合的深紫外AlGaN基发光二极管。所述深紫外LED器件至少包含：衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、Al纳米光栅，其特征在于：位于所述有源层附近的金属Al纳米光栅结构，与有源层中电子‑空穴对发生耦合，可以增强LED器件的辐射复合效率以及改变发射光的透射率，所述衬底具有粗糙的下表面，可以增强LED器件的光提取效率，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
-
公开(公告)号：CN109786241B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910108427.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
-
公开(公告)号：CN109950374B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1‑xN插入层，且InxAl1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1‑xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子‑空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
-
公开(公告)号：CN109950374A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1-xN插入层，且InxAl1-xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1-xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子-空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560128A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811320069.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
-
公开(公告)号：CN109524519A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811546510.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层，其中，0.9≥x≥0.4，0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type-II型能带排列的量子阱结构，提高TE偏振的发光强度，从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
-
-
公开(公告)号：CN118962978A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411347628.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了基于GaSb的固体浸没式长波红外超透镜结构设计方法，超透镜结构包括在GaSb衬底背部刻蚀出的超透镜阵列，该超透镜阵列用于把入射光聚集到GaSb衬底上制备的红外焦平面的每个像元的吸收层中，超透镜阵列由圆形排列或矩形排列的GaSb圆柱构成，其中不同位置的GaSb圆柱的半径通过本发明特有的方法进行确定。本发明通过合理设计圆柱半径分布及间距，在保持该超透镜较高聚焦效率的同时，降低圆柱的高度，从而降低制备工艺难度。
-
公开(公告)号：CN109560128B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811320069.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.018 seconds)
