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公开(公告)号：CN119245491A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411291230.8
申请日：2024-09-14
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法，该方法通过位置敏感探测器与金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应来实现。其中位置敏感探测器是由正负电极与InAs纳米线的组合，通过欧姆定律，将InAs纳米线的晶相变化转变为电学参数变化。与此同时利用金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应，其中金属电极层以一种特殊的前后差位递进式结构排列，搭配上纳米定位台，放大了电学参数变化灵敏度并使检测位置更精确。本发明提出的器件结构在于提高InAs纳米线晶相界面位置的检测精度和灵敏度，从而获得更加可靠的检测结果，此外该结构解决了样品不能重复检测的弊病，大大降低了检测成本。
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