公开(公告)号：CN118431273A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410439012.8

申请日：2024-04-12

Applicant: 南通大学

Inventor： 刘爱苗 ,  余晨辉 ,  李宗哲 ,  张家瑞 ,  成田恬 ,  祖源泽

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种PNPN型纳米级晶闸管及其制备方法，属于晶闸管技术领域，具有PNPN四个掺杂区结构的纳米级晶闸管，包括沿着InAs纳米线自上而下分布的N2‑Si区、P2‑Zn区、N1‑Si区和P1‑Zn区，位于P1‑Zn区上端形成阳极、位于N2‑Si区下端形成阴极以及位于P2‑Zn区侧边形成栅极；该制备方法采用气源控制方法控制InAs纳米线中不同长度的纤维锌矿和闪锌矿晶相区域的一次性独立生长成型，利用高低温混晶掺杂方法在InAs纳米线的不同晶相区域分别进行高温P型掺杂、低温N型掺杂。本发明的晶闸管具有更小的尺寸和更小的功耗，可以降低制造成本、延长电池寿命、提高电子设备效率以及降低能源的消耗。

公开(公告)号：CN119245491A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411291230.8

申请日：2024-09-14

Applicant: 南通大学

Inventor： 李哲宇 ,  徐炜炜 ,  张家瑞 ,  李奕琨 ,  马青兰 ,  余晨辉

IPC: G01B7/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法，该方法通过位置敏感探测器与金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应来实现。其中位置敏感探测器是由正负电极与InAs纳米线的组合，通过欧姆定律，将InAs纳米线的晶相变化转变为电学参数变化。与此同时利用金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应，其中金属电极层以一种特殊的前后差位递进式结构排列，搭配上纳米定位台，放大了电学参数变化灵敏度并使检测位置更精确。本发明提出的器件结构在于提高InAs纳米线晶相界面位置的检测精度和灵敏度，从而获得更加可靠的检测结果，此外该结构解决了样品不能重复检测的弊病，大大降低了检测成本。