公开(公告)号：CN117620489A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202410035516.3

申请日：2024-01-10

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  孙显干 ,  高鑫 ,  张晓 ,  于洋 ,  郭光明 ,  陈瑶 ,  李哲宇

IPC: B23K28/00 ,  B23K37/00

Abstract: 本发明公开了基于等离子表面掺磷的选择性光热植球焊接工艺，本焊接工艺包括以下步骤：对待加工基板焊接面的非焊接区进行隔热处理，并在焊接点铺设焊球；将基板背面铜线与可调节电压的装置连接，对基板的环境进行真空处理并放置到光热炉中。本发明与传统工艺中磷元素以中间合金的方式添加到焊料合金中相比，磷以磷离子掺杂在焊球表面，通过控制电压调控表面掺磷量，不但实现了对焊球表面抗氧化性和浸润性的提升，并且不会影响焊球内部的导电效果，同时对焊球的选择光热焊，避免了植球过程中因高温致使基板发生翘曲的问题，可以同时对多个焊球光热焊，而且通过在光热植球焊接的过程中进行表面掺磷，提高了焊接工艺的效率。

公开(公告)号：CN118468788A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410446661.0

申请日：2024-04-15

Applicant: 南通大学

Inventor： 鲜佳赤 ,  余晨辉 ,  刘爱苗 ,  李哲宇 ,  祖源泽 ,  罗向东

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/09

Abstract: 本发明公开了一种共源共栅氮化镓电路的强化监督学习设计与优化方法，采用ZVS状态量化技术与强化监督学习相结合实现。通过蒙特卡洛仿真出的电路初始参数数据集初步训练神经网络模型，进一步在模型的训练过程中增添将ZVS相关状态数据量化后的参数q作为奖励信号来监督模型的训练过程，引导权重的更新方向，使模型迅速收敛。本发明所提出的基于共源共栅氮化镓电路的强化监督学习设计与优化方法能够有效提高神经网络的预测精度，快速计算出共源共栅氮化镓电路实现高转化效率对应的最优器件参数值，并且成本较低，能够显著提高电路的设计与优化效率。

公开(公告)号：CN119245491A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411291230.8

申请日：2024-09-14

Applicant: 南通大学

Inventor： 李哲宇 ,  徐炜炜 ,  张家瑞 ,  李奕琨 ,  马青兰 ,  余晨辉

IPC: G01B7/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种针对InAs纳米线混合晶相界面位置的检测装置及方法，该方法通过位置敏感探测器与金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应来实现。其中位置敏感探测器是由正负电极与InAs纳米线的组合，通过欧姆定律，将InAs纳米线的晶相变化转变为电学参数变化。与此同时利用金属‑绝缘体‑半导体(MIS)结构中的隧穿效应，其中金属电极层以一种特殊的前后差位递进式结构排列，搭配上纳米定位台，放大了电学参数变化灵敏度并使检测位置更精确。本发明提出的器件结构在于提高InAs纳米线晶相界面位置的检测精度和灵敏度，从而获得更加可靠的检测结果，此外该结构解决了样品不能重复检测的弊病，大大降低了检测成本。