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公开(公告)号:CN118904379A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410959387.7
申请日:2024-07-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种快速制备AlON陶瓷粉体的方法、AlON@CeO2复合光催化剂及其应用,该方法利用热固性酚醛树脂作为碳源,纳米γ‑Al2O3粉体为铝源,乙醇为分散介质,通过超声分散和磁力搅拌的方法,使浆料混合均匀,并利用加热的方式,在浆料干燥的同时使酚醛树脂原位固化在纳米γ‑Al2O3粉体表面,形成“核‑壳”结构的γ‑Al2O3/PF前驱体混合物,再经过一步升温碳热还原氮化反应后,即可合成单相具有光催化能力的AlON粉体,该方法改善AlON光催化剂合成工艺、缩短原料的制备时间,在保证原料混合均匀的前提,降低碳热反应温度,缩短反应的时间,低能耗快速的制备出AlON粉体。
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公开(公告)号:CN112374911B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202011264485.7
申请日:2020-11-13
Applicant: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法,该表面处理方法为:将所述石墨基底清洗干净并干燥,放入等离子体改性设备的反应室内,关闭进气阀门,将所述反应室抽真空,然后通入氧气或者氩气将所述反应室充满,调节进气阀门使所述反应室真空度稳定在10‑100Pa,开始射频电源放电,进行氧等离子体或者氩等离子体轰击石墨基底表面,增加石墨基底表面的粗糙度和提高所述石墨基底表面的活性;通过该方法处理后再进行TaC涂层沉积,可使所形成的TaC涂层与石墨基底结合紧密,不易脱落,热抗震性能大大提高;而且工艺简单高效、能耗低、生产成本低且生产周期短。
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公开(公告)号:CN112501584A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011264714.5
申请日:2020-11-13
Applicant: 南昌大学 , 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨基底的复合涂层及其制备方法,该复合涂层包括沉积在所述石墨基底上的TaC‑C过渡层和沉积在所述过渡层外层的纯TaC外涂层,所述过渡层厚度为5‑50μm,所述外涂层厚度为10‑300μm;其制备方法为:采用化学气相沉积法,通过调节TaCl5和碳源气体进入气相沉积炉中的摩尔比,先在石墨基底表面沉积TaC‑C过渡涂层,然后在TaC‑C过渡涂层上沉积纯TaC外涂层,通过过渡层形成梯度涂层,减少石墨基底与纯TaC外涂层之间的热应力和热膨胀系数失配,提高外涂层与石墨基底的结合强度,从而提高外涂层的抗热震性能。
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公开(公告)号:CN112411173A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011297063.X
申请日:2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: D06M11/09 , C30B23/00 , C30B29/36 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种高纯碳纤维硬毡的制备方法,包括以下步骤:S1.提纯Ⅰ:取待提纯碳纤维硬毡,采用纯化气体A,于温度Ⅰ条件下,进行气热提纯Ⅰ反应;S2.提纯Ⅱ:采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅱ条件下,对步骤S1提纯后的碳纤维硬毡,进行气热提纯Ⅱ反应;S3.提纯Ⅲ:采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅲ条件下,对步骤S2提纯后的碳纤维硬毡,进行气热提纯Ⅲ反应,得到高纯碳纤维硬毡。本发明采用进行分阶段提纯处理的方法,使碳纤维硬毡达到较高的纯度,灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内,采用该碳纤维硬毡作为保温材料制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降,单晶的生长质量大大提高。
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公开(公告)号:CN112340726A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011294418.X
申请日:2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: C01B32/215 , C30B23/00
Abstract: 本发明公开了一种高纯石墨坩埚的制备方法,包括以下步骤:S1.取待提纯石墨坩埚,于2800℃以上,且真空条件下,进行高温提纯反应;S2.采用纯化气体A,于温度Ⅰ条件下,进行气热提纯Ⅰ反应;S3.采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅱ条件下,进行气热提纯Ⅱ反应;S4.采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅲ条件下,进行气热提纯Ⅲ反应,得到高纯石墨坩埚。本发明采用先进行高温提纯处理,然后再进行分阶段气热提纯处理的方法,使石墨坩埚达到较高的纯度,灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内,采用该石墨坩埚制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降,单晶的生长质量大大提高。
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公开(公告)号:CN118492402A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410673811.1
申请日:2024-05-28
Applicant: 南昌大学
IPC: B22F10/25 , B22F1/052 , B22F1/065 , B22F10/34 , B22F9/14 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y40/10 , B33Y40/20 , B22F10/64 , C22C38/06 , C22C38/58 , C22C38/02 , C22C33/02 , C21D1/18 , C21D6/00 , C21D6/02 , C21D1/26
Abstract: 本发明公开了一种定向能量沉积技术用高球形度低密度钢的制备方法,该制备方法包括采用等离子旋转电极雾化法制备高球形度低密度钢的粉末、切片和成型等步骤。上述制备方法通过采用PREP技术所得的球形合金粉末,再使用DED方式制备低密度钢构件,可以进行复杂结构部件的制备、零件破损修复或表面涂层熔覆,使其能保证减重效果的同时具备较高的强度。
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公开(公告)号:CN112374911A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011264485.7
申请日:2020-11-13
Applicant: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法,该表面处理方法为:将所述石墨基底清洗干净并干燥,放入等离子体改性设备的反应室内,关闭进气阀门,将所述反应室抽真空,然后通入氧气或者氩气将所述反应室充满,调节进气阀门使所述反应室真空度稳定在10‑100Pa,开始射频电源放电,进行氧等离子体或者氩等离子体轰击石墨基底表面,增加石墨基底表面的粗糙度和提高所述石墨基底表面的活性;通过该方法处理后再进行TaC涂层沉积,可使所形成的TaC涂层与石墨基底结合紧密,不易脱落,热抗震性能大大提高;而且工艺简单高效、能耗低、生产成本低且生产周期短。
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公开(公告)号:CN118584030A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202410682104.9
申请日:2024-05-29
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N31/12 , G01N23/2251
Abstract: 本申请适用于材料性能测试技术领域,尤其涉及一种适用于瞬时、多频次工况的耐烧蚀性能测试方法,所述方法包括以下步骤:称量试样质量;将氧‑乙炔火焰冲烧到试样上,按照预设烧蚀温度对试样进行烧蚀;烧蚀x秒后,将所述氧‑乙炔火焰移开y秒,再继续烧蚀x秒,再将所述氧‑乙炔火焰移开y秒,以此往复n次;称量烧蚀后试样的质量,计算出试样的质量烧蚀率。本申请最大限度的模拟瞬时、多频次工况,最终通过计算试样的质量烧蚀率,评估材料应用于瞬时、多频次使用工况的烧蚀材料的性能,由于测试过程中最大限度的模拟了瞬时、多频次工况,可以有效评估材料应用于瞬时、多频次使用工况的烧蚀材料的性能。
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公开(公告)号:CN118563402A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410682075.6
申请日:2024-05-29
Applicant: 南昌大学
IPC: C25F3/24 , G01N23/203
Abstract: 本申请适用于材料表面处理技术领域,尤其涉及一种低密度钢电解抛光方法及用于EBSD测试的低密度钢材料,所述方法包括以下步骤:表面预处理:将低密度钢试样依次进行表面磨制、机械抛光;电解抛光:将表面预处理后的低密度钢试样置于电解抛光液中进行电解抛光;后处理:将电解抛光后的低密度钢试样进行清洗,烘干;其中,所述电解抛光液包括以下体积分数的物质:5~10%的高氯酸溶液、1~6%的硝酸和84~94%的酒精。本申请实施例电解抛光液组分来源广泛、成本低廉、配制简单,方法简单易操作,抛光效率高,能够有效去除选区激光熔化低密度钢打印产生的应力,提高EBSD测试标定率、产生强的衍射花样,易于识别,分析结果准确度高。
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公开(公告)号:CN118515489A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410634698.6
申请日:2024-05-22
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及透明陶瓷制备技术领域,公开了一种高温瞬时液相无压烧结制备高透明度AlON陶瓷的方法。其包括以下步骤:以纯相AlON粉体为原料,添加烧结助剂,球磨制得D50=3.5‑1.5μm的AlON粉体,干压成型得AlON坯体;AlON坯体在流动氮气环境下,以升温速率v1升温至无压烧结温度T1保温t1时间;以升温速率v2升温至瞬时液相温度T2保温0‑10min;以降温速率v3降温至无压烧结温度T1保温t2时间,制得AlON陶瓷;其中,5℃/min≤v1≤15℃/min,2℃/min≤v2≤4℃/min,2℃/min≤v3≤4℃/min;1900℃≤T1≤2000℃,2030℃≤T2≤2060℃;2h≤t1+t2≤6h,且t1>t2≥0。本发明提供的方法,采用瞬时液相工艺,解决了粗颗粒AlON粉体干压成型、无压烧结工艺所导致的致密度低、透光率不佳的问题,具有较高的实际应用价值。
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