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公开(公告)号：CN112374911A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011264485.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法，该表面处理方法为：将所述石墨基底清洗干净并干燥，放入等离子体改性设备的反应室内，关闭进气阀门，将所述反应室抽真空，然后通入氧气或者氩气将所述反应室充满，调节进气阀门使所述反应室真空度稳定在10‑100Pa，开始射频电源放电，进行氧等离子体或者氩等离子体轰击石墨基底表面，增加石墨基底表面的粗糙度和提高所述石墨基底表面的活性；通过该方法处理后再进行TaC涂层沉积，可使所形成的TaC涂层与石墨基底结合紧密，不易脱落，热抗震性能大大提高；而且工艺简单高效、能耗低、生产成本低且生产周期短。
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公开(公告)号：CN118904379A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410959387.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种快速制备AlON陶瓷粉体的方法、AlON@CeO2复合光催化剂及其应用，该方法利用热固性酚醛树脂作为碳源，纳米γ‑Al2O3粉体为铝源，乙醇为分散介质，通过超声分散和磁力搅拌的方法，使浆料混合均匀，并利用加热的方式，在浆料干燥的同时使酚醛树脂原位固化在纳米γ‑Al2O3粉体表面，形成“核‑壳”结构的γ‑Al2O3/PF前驱体混合物，再经过一步升温碳热还原氮化反应后，即可合成单相具有光催化能力的AlON粉体，该方法改善AlON光催化剂合成工艺、缩短原料的制备时间，在保证原料混合均匀的前提，降低碳热反应温度，缩短反应的时间，低能耗快速的制备出AlON粉体。
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公开(公告)号：CN112374911B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011264485.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法，该表面处理方法为：将所述石墨基底清洗干净并干燥，放入等离子体改性设备的反应室内，关闭进气阀门，将所述反应室抽真空，然后通入氧气或者氩气将所述反应室充满，调节进气阀门使所述反应室真空度稳定在10‑100Pa，开始射频电源放电，进行氧等离子体或者氩等离子体轰击石墨基底表面，增加石墨基底表面的粗糙度和提高所述石墨基底表面的活性；通过该方法处理后再进行TaC涂层沉积，可使所形成的TaC涂层与石墨基底结合紧密，不易脱落，热抗震性能大大提高；而且工艺简单高效、能耗低、生产成本低且生产周期短。
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公开(公告)号：CN112501584A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011264714.5
申请日：2020-11-13
Applicant: 南昌大学 , 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨基底的复合涂层及其制备方法，该复合涂层包括沉积在所述石墨基底上的TaC‑C过渡层和沉积在所述过渡层外层的纯TaC外涂层，所述过渡层厚度为5‑50μm，所述外涂层厚度为10‑300μm；其制备方法为：采用化学气相沉积法，通过调节TaCl5和碳源气体进入气相沉积炉中的摩尔比，先在石墨基底表面沉积TaC‑C过渡涂层，然后在TaC‑C过渡涂层上沉积纯TaC外涂层，通过过渡层形成梯度涂层，减少石墨基底与纯TaC外涂层之间的热应力和热膨胀系数失配，提高外涂层与石墨基底的结合强度，从而提高外涂层的抗热震性能。
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公开(公告)号：CN112411173A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011297063.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: D06M11/09 , C30B23/00 , C30B29/36 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种高纯碳纤维硬毡的制备方法，包括以下步骤：S1.提纯Ⅰ：取待提纯碳纤维硬毡，采用纯化气体A，于温度Ⅰ条件下，进行气热提纯Ⅰ反应；S2.提纯Ⅱ：采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅱ条件下，对步骤S1提纯后的碳纤维硬毡，进行气热提纯Ⅱ反应；S3.提纯Ⅲ：采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅲ条件下，对步骤S2提纯后的碳纤维硬毡，进行气热提纯Ⅲ反应，得到高纯碳纤维硬毡。本发明采用进行分阶段提纯处理的方法，使碳纤维硬毡达到较高的纯度，灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内，采用该碳纤维硬毡作为保温材料制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降，单晶的生长质量大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112340726A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011294418.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: C01B32/215 , C30B23/00
Abstract: 本发明公开了一种高纯石墨坩埚的制备方法，包括以下步骤：S1.取待提纯石墨坩埚，于2800℃以上，且真空条件下，进行高温提纯反应；S2.采用纯化气体A，于温度Ⅰ条件下，进行气热提纯Ⅰ反应；S3.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅱ条件下，进行气热提纯Ⅱ反应；S4.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅲ条件下，进行气热提纯Ⅲ反应，得到高纯石墨坩埚。本发明采用先进行高温提纯处理，然后再进行分阶段气热提纯处理的方法，使石墨坩埚达到较高的纯度，灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内，采用该石墨坩埚制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降，单晶的生长质量大大提高。
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公开(公告)号：CN118515489A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410634698.6
申请日：2024-05-22
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及透明陶瓷制备技术领域，公开了一种高温瞬时液相无压烧结制备高透明度AlON陶瓷的方法。其包括以下步骤：以纯相AlON粉体为原料，添加烧结助剂，球磨制得D50＝3.5‑1.5μm的AlON粉体，干压成型得AlON坯体；AlON坯体在流动氮气环境下，以升温速率v1升温至无压烧结温度T1保温t1时间；以升温速率v2升温至瞬时液相温度T2保温0‑10min；以降温速率v3降温至无压烧结温度T1保温t2时间，制得AlON陶瓷；其中，5℃/min≤v1≤15℃/min，2℃/min≤v2≤4℃/min，2℃/min≤v3≤4℃/min；1900℃≤T1≤2000℃，2030℃≤T2≤2060℃；2h≤t1+t2≤6h，且t1＞t2≥0。本发明提供的方法，采用瞬时液相工艺，解决了粗颗粒AlON粉体干压成型、无压烧结工艺所导致的致密度低、透光率不佳的问题，具有较高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN118146004A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410190493.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/632 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及陶瓷成型技术领域，公开了一种注模成型制备AlON陶瓷坯体的方法，包括如下步骤：S1、将异丁烯‑马来酸酐共聚物和四甲基氢氧化铵水溶液分散在去离子水中超声分散后配置成预混液；S2、向预混液中加入AlON粉体，搅拌后得到固含量45vol％的AlON陶瓷浆料；S3、AlON陶瓷浆料经真空脱泡处理后注入模具中，发生凝固得到AlON陶瓷湿坯，脱模后烘干，得到AlON陶瓷坯体。利用异丁烯‑马来酸酐共聚物和TMAH作为分散剂，提高浆料的分散性、流动性，注模成型制备AlON坯体，提高了坯体的均匀性。
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公开(公告)号：CN112391606B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011270485.8
申请日：2020-11-13
Applicant: 南昌大学 , 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司
IPC: C23C16/32
Abstract: 本发明公开一种SiC‑Hf(Ta)C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座，该制备方法包括以下步骤：石墨基体表面预处理；将Si粉和SiO2粉末混合，放入所述化学气相沉积炉中，使化学气相沉积炉中充满氩气；升温至1800‑2000℃，保温进行反应，保持炉压5‑10kPa，反应时间为2‑4h；降温至1500‑1700℃，通入四氯化铪气体、五氯化钽气体、甲烷、氢气和稀释气体氩气，进行CVD沉积，沉积时间为2‑8h；反应完成后，在充满氩气氛围中降温至室温，取出产品；本发明的方法所制备的复合涂层，与石墨基体连接强度高、致密性好、耐高温、抗热震性能好。
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公开(公告)号：CN112391606A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011270485.8
申请日：2020-11-13
Applicant: 南昌大学 , 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司
IPC: C23C16/32
Abstract: 本发明公开一种SiC‑Hf(Ta)C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座，该制备方法包括以下步骤：石墨基体表面预处理；将Si粉和SiO2粉末混合，放入所述化学气相沉积炉中，使化学气相沉积炉中充满氩气；升温至1800‑2000℃，保温进行反应，保持炉压5‑10kPa，反应时间为2‑4h；降温至1500‑1700℃，通入四氯化铪气体、五氯化钽气体、甲烷、氢气和稀释气体氩气，进行CVD沉积，沉积时间为2‑8h；反应完成后，在充满氩气氛围中降温至室温，取出产品；本发明的方法所制备的复合涂层，与石墨基体连接强度高、致密性好、耐高温、抗热震性能好。
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