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公开(公告)号：CN112853290A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110007223.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS2薄膜材料，基于两步法得到的薄膜具有面积大、均匀性好、可控性强、结晶性好等特点，该方法操作简单、耗时短，可以大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN116322292A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310537245.7
申请日：2023-05-14
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h‑BN薄膜；通过机械剥离法制得六方氮化硼薄膜，并通过聚焦离子束局部调控引入缺陷作为阻变介质层，制备基于六方氮化硼的阻变存储器。本发明采用h‑BN作为阻变层介质，成功实现了h‑BN作为阻变层的阻变响应；器件具有SET电压和RESET电压低的特点；采用聚焦离子束对h‑BN表面加工，引入缺陷，实现了聚焦离子束对二维材料的局部加工；并且通过可控引入缺陷，降低了Au/h‑BN/Ag 阻变存储器的SET电压；并具有制备方法操作简单，耗时短的特点。
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公开(公告)号：CN112853290B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110007223.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS2薄膜材料，基于两步法得到的薄膜具有面积大、均匀性好、可控性强、结晶性好等特点，该方法操作简单、耗时短，可以大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN118431337A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410445906.8
申请日：2024-04-15
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/102
Abstract: 本发明属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种TiSe2‑TiO2日盲探测器及其制备方法和应用。该TiSe2‑TiO2日盲光电探测器以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，通过机械剥离得到TiSe2薄膜，转移至带有预电极的衬底上，然后采用激光辐照的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结，进而构建得到。本发明以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，首次创新提出了机械剥离和激光辐照相结合的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结。采用激光辐照的方法，一方面可以通过调节激光功率和积分时间实现对不同厚度TiSe2不同程度的氧化，另一方面还可以借助扫描面积灵活控制器件面积；此外，该本发明操作简单，耗时短，原料廉价易得，安全环保，并且制得的异质结器件的光电探测性能优异。
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公开(公告)号：CN116443823A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310260943.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种碲烯纳米结构的制备方法。该方法是采用激光辐照，基于高功率密度下产生的局部热效应来改变材料的结构，以碲化物为基体，制备碲烯纳米结构。该方法得到的碲烯纳米结构采用激光辐照光斑小，可进行局域微区的精确调控，操作简单、耗时短，可以大规模应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110973A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310257918.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。所述晶体管包括：SiO2/Si衬底；设置在衬底上的第一个二维材料层为半导体层；分别设置在所述第一个二维材料层两端的源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区；设置在第一个二维材料层上的第二个二维材料层为绝缘介质层；设置在第二个二维材料层上的栅电极。本发明提供的二维范德华异质结场效应晶体管在源极电压+0.1V情况下开关比高达106；接近理论极限的亚阈值摆幅；并且顶栅调制的传输曲线表现出很小的迟滞。
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公开(公告)号：CN116443823B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202310260943.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种碲烯纳米结构的制备方法。该方法是采用激光辐照，基于高功率密度下产生的局部热效应来改变材料的结构，以碲化物为基体，制备碲烯纳米结构。该方法得到的碲烯纳米结构采用激光辐照光斑小，可进行局域微区的精确调控，操作简单、耗时短，可以大规模应用。
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公开(公告)号：CN117702261A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311370552.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提出一种在钛酸锶衬底上生长大面积二硫化钨薄膜的方法，所述方法采用碱金属盐辅助低压化学气相沉积法，选用钛酸锶衬底，以一定配比的WO3、NaBr以及单质硫粉的混合物作为前驱体源，制备大面积二硫化钨薄膜。本发明提出的在钛酸锶衬底上生长大面积二硫化钨薄膜的方法，实现了通过化学气相沉积法在钛酸锶衬底上制备二硫化钨薄膜，所得到的二硫化钨薄膜具有面积大，均匀性好，结晶性好等特点，该方法可重复性强，操作简单，耗时短，效率高，可以实现大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN116634777A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310438489.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提出一种激光面扫氧化制备阻变器件的方法，所述方法采用机械剥离法与拉曼激光氧化结合的方式，以金属硫化物、硒化物单晶为初始材料，经机械剥离后得到相应二维薄膜材料，再拉曼激光氧化制备二维平面异质结构材料。本发明提出的激光面扫氧化制备阻变器件的方法，通过机械剥离法与拉曼激光氧化结合制备二维材料阻变存储器的方法，该方法制备得到的阻变存储器具有可控性强、重复性好、操作简单、耗时短等优点。
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公开(公告)号：CN116544302A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310351436.4
申请日：2023-04-04
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域，具体涉及一种基于准一维范德华材料ZrS3纳米带的可调偏振光电探测器的制备方法。本方法采用机械剥离法将ZrS3晶体剥离成纳米带并转移到SiO2/Si衬底上，再经过电子束曝光和真空蒸镀制备ZrS3光电探测器，通过改变光源波长和调节栅极电压实现可调偏振光电探测器。基于该方法制备的ZrS3光电探测器具有偏振可调，灵敏度高，响应快，性能稳定等特点。该方法操作简单，耗时短，可重复性高，利于高性能可调偏振光电探测器的生产和应用。
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