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发明公开
激光面扫氧化制备阻变器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN116634777A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310438489.X

申请日：2023-04-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 廖霞霞 , 罗金枝 , 柯明杰 , 周杨波

IPC: H10B63/00 , H10N70/00 , H10N70/20

Abstract: 本发明提出一种激光面扫氧化制备阻变器件的方法，所述方法采用机械剥离法与拉曼激光氧化结合的方式，以金属硫化物、硒化物单晶为初始材料，经机械剥离后得到相应二维薄膜材料，再拉曼激光氧化制备二维平面异质结构材料。本发明提出的激光面扫氧化制备阻变器件的方法，通过机械剥离法与拉曼激光氧化结合制备二维材料阻变存储器的方法，该方法制备得到的阻变存储器具有可控性强、重复性好、操作简单、耗时短等优点。

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