公开(公告)号：CN120048726A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510246594.2

申请日：2025-03-04

Applicant: 南昌大学

Inventor： 廖霞霞 ,  柯明杰 ,  袁加仁 ,  周杨波

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种二维非晶氧化镓薄膜的制备方法。本发明以硒化镓为基体，采用剥离‑转移、在空气中加热氧化的等步骤制备非晶氧化镓。本发明得到的非晶氧化镓薄膜厚度在十纳米以内，且制备所得非晶氧化镓薄膜结构厚度均匀，表面光滑。本发明操作简单、耗时短，生产环保，制备尺寸、构型可调，适用于大规模生产。

公开(公告)号：CN116634777A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310438489.X

申请日：2023-04-21

Applicant: 南昌大学

Inventor： 廖霞霞 ,  罗金枝 ,  柯明杰 ,  周杨波

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明提出一种激光面扫氧化制备阻变器件的方法，所述方法采用机械剥离法与拉曼激光氧化结合的方式，以金属硫化物、硒化物单晶为初始材料，经机械剥离后得到相应二维薄膜材料，再拉曼激光氧化制备二维平面异质结构材料。本发明提出的激光面扫氧化制备阻变器件的方法，通过机械剥离法与拉曼激光氧化结合制备二维材料阻变存储器的方法，该方法制备得到的阻变存储器具有可控性强、重复性好、操作简单、耗时短等优点。

公开(公告)号：CN116487264A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310405533.7

申请日：2023-04-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  刘广健 ,  肖志林 ,  廖霞霞 ,  张家玮 ,  柯明杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于二维材料晶体管器件领域，公开了一种ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管及其制备方法。本发明通过直接氧化法，结合电子束刻蚀和真空镀膜技术制得ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。该制备方法操作简单，成本低、耗时短，只通过一次样品转移即制备出了ZrS3/ZrO异质结且可实现大量异质结同时制备；与常规的异质结制备方法不同，本发明首次提出通过热氧化处理沟道材料表层以获得介电层，且无需考虑介电材料与沟道材料的晶格匹配和结合性问题，制得的ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。