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公开(公告)号：CN116110973A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310257918.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。所述晶体管包括：SiO2/Si衬底；设置在衬底上的第一个二维材料层为半导体层；分别设置在所述第一个二维材料层两端的源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之间为沟道区；设置在第一个二维材料层上的第二个二维材料层为绝缘介质层；设置在第二个二维材料层上的栅电极。本发明提供的二维范德华异质结场效应晶体管在源极电压+0.1V情况下开关比高达106；接近理论极限的亚阈值摆幅；并且顶栅调制的传输曲线表现出很小的迟滞。
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