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公开(公告)号：CN116462155A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310482381.0
申请日：2023-04-30
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法，包括PVA溶液的制备；PVA薄膜的制备；搭建二维层状材料扭转同质结构及异质结构；转移二维异质结构到目标衬底上等步骤。本发明具有以下技术效果：（1）使用的PVA膜的水溶性确保了材料界面不会引入污染，对样品损害极小；（2）PVA的高粘性足以将同一片材料一分为二，因此转移过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始取向，满足了扭转角同质结构与异质结构等的制备等需求；（3）为二维层状材料提供了一种灵活性高、高效简单、无损、低成本的转移方案。
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公开(公告)号：CN119789629A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411942329.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/812 , H10H20/824
Abstract: 本发明公开了单片多PN结RGB全彩LED，包括衬底、及通过一次外延形成于衬底之上的蓝光第一发光单元、绿光第二发光单元和红光第三发光单元，蓝光第一发光单元和绿光第二发光单元之间沿着生长方向依次设有第一阻挡层和第一隧道层，绿光第二发光单元和红光第三发光单元之间沿着生长方向依次设有第二阻挡层和第二隧道层，其中：第一阻挡层和第二阻挡层的材料为InyGa1‑yN。第一阻挡层和第二阻挡层阻挡了Mg原子向隧道层的扩散，减少了PN结杂质补偿效应，提高了PN结之间的隧穿效率。
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公开(公告)号：CN119560397A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411653929.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117241652A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311233968.4
申请日：2023-09-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/30 , H10N30/093 , G01B7/16
Abstract: 一种构建二维材料应变测试结构的方法，所述结构自上而下依次为衬底、PMMA和二维材料，并根据测试需要制作电极。该应变测试结构会使在PMMA结构上方的二维材料产生均匀形变；使得二维材料在PMMA结构的边缘处产生弯曲变形，在沿厚度方向产生应变梯度，之后可进行各项性能的测试。本发明在不破坏二维层状材料的情况下，可提供可控的应变；实施方式简单，耗时短；本发明中的应变测试结构可以用于探究应变和应变梯度对于二维材料的影响，未来可以应用于柔性器件领域。
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公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN116564824A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310482380.6
申请日：2023-04-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/443
Abstract: 一种低接触电阻的二维半导体器件的制备方法，通过机械剥离法从对应的母体块材中分别获得二硫化钼、石墨烯、六方氮化硼少层薄膜，并用PDMS干法转移技术依次将上述少层薄膜转移至清洗后的SiO2/Si衬底上，获得MoS2/hBN/Gra异质结；在上述衬底上旋涂聚甲基丙烯酸酯，加热台保温；再利用电子束曝光获得目标电极图案，并镀上Ti/Ni金属电极，然后将衬底置于丙酮中以除去PMMA；再将上述器件放入氩气等离子体刻蚀机中刻蚀以除去暴露于电极外的石墨烯。本发明异质结间的范德华接触有效的抑制了FLD效应，实现了比金属直接接触型场效应管更高的电流开关比。本方法较容易实现，且有效优化了顶部接触的接触电阻。
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公开(公告)号：CN116553491A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310657295.9
申请日：2023-06-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种电化学剥离法制备二维层状硒化铟材料的方法，包括以下步骤：将电解质配置成电化学剥离溶液；在电解槽中将包裹硒化铟材料的金属网作阳极，金属片作阴极，倒入电化学剥离溶液后，电解反应：直流恒压2~4V，1~3h，至硒化铟材料完全剥离；然后用二甲基甲酰胺洗涤，再放入丙酮中分散，得分散溶液，离心；离心的溶液在硅片上旋涂制样，得到二维层状硒化铟材料。本发明具有操作容易、成本低、产量高、过程简单、步骤少、反应温度温和、生产周期短、环境友好的优点，产品的结构优异，能获得大面积超薄的In2Se3薄片，同时In2Se3表面厚度均匀，层数少，薄膜具有铁电性。与其它材料组合制成的异质结，具有良好的电特性曲线。
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公开(公告)号：CN202408171U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120457288.7
申请日：2011-11-17
Applicant: 南昌大学
IPC: A47G19/22
Abstract: 本实用新型提供可以直观感受杯内水温的一种LED温度指示保温杯。利用LED的指示特性，设计了一种新型LED温度指示保温杯。由LED指示灯、单片机、温度传感器组成温度感应电路和温度显示电路，该保温杯的温度感应指示电路安装在双层真空保温杯中达到温控保温的效果。保温杯整体呈双层圆柱杯状结构，内外双隔热层为真空保温结构，感应电路安装在真空保温层中，热敏电阻粘贴在内层杯壁进行测温，整体连接到杯体底部的电源。
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